安建半导体持续扩充中高压MOSFET产品平台

安建半导体 (JSAB) 继年初推出业界领先的150V SGT MOSFET 产品平台，同年已将中高压平台扩充至120V 及200V，平台沿用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，实现了高效的能源转换和低能耗操作。年初推出的150V平台已在不同应用及客户之间取得认可，达到成熟量产阶段，新产品能同样广泛应用于通信和数据中心服务器电源、叉车和轻型电动车低压电机驱动器以及电池管理系统(BMS)。

1.  产品性能

1. 优化FOM (Figure of Merit)：极低导通及开关损耗，适用于高载频及高功率工况，提供高效的能量转换和节能效果。

2. 高可靠性：-55 ~ 175 ℃ 工作范围，卓越的可靠性与耐用性，全面满足工业级标准。

3. 高抗冲击能力：低热阻，高雪崩能力，满足高电流及瞬间关断时的要求。

4. 良好一致性：支持多管并联应用。

2. 技术特点

JSAB 120V SGT MOSFET优化了元胞尺寸 (Pitch) 及基板 (Substrate) ，在确保最低120V的击穿电压基础下，大幅降低电阻，优化大电流工作时的可靠性及系统温度。与当前可用的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻RDS(on) 降幅高达26%，非常适合采用大功率或96V电池的工业电机驱动或电池管理系统 (BMS) 应用。

JSAB 150V及200V SGT MOSFET同样采用深沟槽技术，透过优化漂移区 (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗，能以相同芯片大小，达到更低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低开关损耗及导通损耗。可替换国外一流进口品牌，非常适用于工业电机驱动或可在服务器、电源等高频开关应用领域。

3. 推荐型号

综上所述，JSAB 中高压SGT平台产品能够完全媲美国际一流进口品牌的性能，非常适用于工业电机驱动或电池管理系统等应用领域。 JSAB亦会持续扩充高性能，高质量产品，并完善同平台产品线。 JSAB有能力也有信心接受客户严苛的测试和检验，如需样品，欢迎与我司联系。

安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件，如需样品，欢迎联系。