MOSFET晶体管的工艺制造流程

本文通过图文并茂的方式生动展示了MOSFET晶体管的工艺制造流程，并阐述了芯片的制造原理。  

MOSFET的工艺流程

芯片制造工艺流程包括光刻、刻蚀、扩散、薄膜、离子注入、化学机械研磨、清洗等等，在前面的文章我们简要的介绍了各个工艺流程的细节，这篇文章大致讲解这些工艺流程是如何按顺序整合在一起并且制造出一个MOSFET的。

1. 我们首先拥有一个硅纯度高达99.9999999%的衬底。

硅衬底
 

2. 在硅晶衬底上生长一层氧化薄膜。

生长氧化薄膜

3. 均匀的旋涂上光刻胶。

胶旋涂光刻胶

4. 通过光掩膜进行光刻，把光掩膜板上的图案转移到光刻胶上。

光刻

5. 感光区域的光刻胶显影之后被清洗掉。

感光

显影

6. 通过刻蚀把没有被覆盖光刻胶的氧化薄膜刻蚀掉，这样把光刻图案转移到晶圆上了。

刻蚀

7. 清洗去掉多余的光刻胶。

去胶

8. 再长一层较薄的氧化膜。之后再通过上面的光刻和刻蚀，只保留栅极区域的氧化膜。

 

栅氧生长

9. 在上面生长一层多晶硅。

多晶硅生长

10. 和第8步一样通过光刻和刻蚀，只保留栅氧化层上面的多晶硅。

多晶硅栅极

11. 在进行光刻清洗覆盖住氧化层和栅极，这样就对整片晶圆进行离子注入，就有了源极和漏极。

离子注入

源极和漏极的形成

12. 在晶圆上面生长一层绝缘薄膜。

绝缘薄膜

13. 通过光刻和刻蚀把源极、栅极和漏极的接触孔刻蚀出来。

接触孔刻蚀

14. 再在刻蚀的地方进行金属的沉积，这样就有了源极、栅极和漏极的导电金属线了。

金属沉积

最后通过各种工艺的组合就制造出来一个完整的MOSFET。  

完整的MOSFET

芯片的制造原理

其实芯片的底层就是大量的晶体管组成的。

MOSFET中的源极、栅极、漏极

各种晶体管组成逻辑门

逻辑门组成运算器

运算器组成具有特定功能的集成电路

最后组成只有一个指甲大小的芯片