英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获殊荣，荣获极光奖两项大奖

 

英飞凌的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣，荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。与此同时，凭借其在碳化硅技术领域的持续创新突破及产品性能的显著提升，英飞凌被授予“第三代半导体年度标杆领军企业”的荣誉。

 

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此外，作为功率半导体行业的领导者，英飞凌持续致力于碳化硅技术的革新与发展，推动市场向更高功率等级与更高能效水平迈进。英飞凌最新一代CoolSiC MOSFET Generation2技术，在生产工艺、技术参数及性能表现上相较于第一代产品有了显著的提升。

 

最新推出的CoolSiC MOSFET Generation2 TO247-4封装产品，以单个单管7毫欧的Rdson导通电阻创业界新低，同时保持2微秒短路承受能力的卓越表现，领先业界。CoolSiC MOSFET Generation2的最大工作结温直接提升至200摄氏度，相较于第一代产品，这一提升尤为显著，从而使其更加适配于电动汽车直流快速充电站、牵引逆变器、太阳能逆变器等高效能应用场景。Generation2系列碳化硅产品的推出，进一步体现了英飞凌致力于通过提供高效率产品来促进节能减排、加速低碳化进程的坚定承诺。