MG600Q2YMS3 硅基碳化物（SiC）N沟道MOSFET模块

产品概述

MG600Q2YMS3 是一款基于硅基碳化物（SiC）技术的高功率N沟道MOSFET模块，适用于高功率开关和电机控制应用，如轨道牵引系统。其设计旨在满足高效能和快速切换需求，为工业和能源领域提供可靠解决方案。

主要特性

1. 高电压和电流能力
   耐压 (VDSS)：1200 V
   漏极电流 (ID)：600 A
2. 高效率与低损耗
   碳化硅材料降低导通损耗和开关损耗，实现更高的转换效率。
3. 快速切换性能
 支持高频操作，适用于需要高速响应的应用场合。
4.低热阻设计
   通道到外壳热阻：**0.013 K/W**（典型值）
   支持高功率密度，减少热管理需求。
5. 增强型模式设计

增强型模式提供更安全、更稳定的工作状态。
6. 内置热敏电阻
    支持实时温度监控和保护功能。
7. 电极隔离设计
   电极与金属底板隔离，提高安全性和系统设计灵活性。

技术参数

栅极-源极电压 (VGSS)：+25 V / -10 V
最大脉冲电流 (IDP)：1200 A
漏极功耗 (PD)：2000 W
最大通道温度 (Tch)：150 ℃
储存温度范围 (Tstg)：-40 ℃ 至 150 ℃
绝缘电压 (Visol)：4000 V (AC, 60 s)

热性能

MG600Q2YMS3 在热管理方面表现优异，其低热阻设计确保在高功率应用中具有较低的热量积累，提高系统可靠性。推荐在模块与散热片之间使用50 μm、导热系数为3 W/m·K的导热膏，并按照建议的扭矩进行紧固，以优化导热性能。

应用领域

电机驱动系统 
   提供高效能的电源转换和调节能力。
轨道牵引系统 
   支持高功率、高可靠性的电源需求。
新能源设备
   适用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换。
工业控制系统
   满足高频、高电流的控制需求。

封装与连接

MG600Q2YMS3 采用模块化封装设计，便于安装和维护：

主端子（P、N、AC）** 需使用螺钉固定，每个端子建议扭矩为4.0 N·m（M6）。
安装孔建议扭矩为3.0 N·m（M5）。

电气特性

导通电压 (VDS(on))：0.9 V @ 25 ℃
输入电容 (Ciss)：53 nF
内部栅极电阻 (rg)：2.7 Ω
开关时间 (t_on)：0.33 μs
关断时间 (t_off)：0.55 μs

审核编辑 黄宇