上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品介绍

一概述

上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系统产品具有极低的开关损耗。

上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用于：

通信和数据中心服务器电源

叉车和轻型电动车电机驱动器

光伏储能以及电池管理系统 (BMS)

不间断电源 (UPS)

二器件优势

 超低导通电阻Rds(on)

贝岭可提供国内业界极低导通电阻的150V SGT MOSFET系列产品。例如，BLP038N15的导通电阻典型值仅为，相比于市场主流厂商同类低导通电阻产品，导通电阻降幅高达23%，可有效地降低功率器件在导通期间的损耗，显著提升系统整机效率。贝岭产品具有优良的Rds(on) 一致性，适合大功率并联场景。

图1 导通电阻Rds(on)

低FOM 值

性能品质因数Figure of Merit （FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on) 为器件导通电阻，Qg为器件栅极总电荷），简称FOM值，是评估MOSFET综合性能的一个重要指标。较低的导通电阻代表SGT MOSFET在导通状态下具有更低的损耗和更高的效率。较低的栅极总电荷代表SGT MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换，从而减少功耗和提高性能。上海贝岭BLP038N15在保证超低的导通电阻优势下，极力控制器件栅极总电荷，使得该器件FOM值相较国内厂商同电压等级产品具有显著优势。

图2 FOM值

器件封装

为了满足客户在不同应用场景下的使用需求，上海贝岭150V SGT产品在封装选择上，可以提供TO-220，TO-247为代表的插件安装形式。与此同时，还提供以TOLL和TO-263-7代表的贴片安装形式。对于高功率密度、电流密度设计，贝岭推荐使用TOLL封装的150V SGT 产品。TOLL封装的典型占位面积为9.8mm * 11.73 mm与TO-263封装相比，PCB面积可节省30%。TOLL封装的外形高度仅为2.3 mm，占用的体积较TO-263减少60%，实现节省用户PCB空间，使客户产品更具成本优势。

图3 贝岭TOLL-8 封装图

优良的抗电流冲击能力

贝岭150V SGT产品具有高雪崩能力、低热阻的特点，在电机应用中可以满足电机短路大电流关断的需求。

三BLP038N15应用表现

贝岭针对大功率电机控制应用，基于贝岭150V SGT产品, 设计20kW电机控制器验证平台，最高可支持96V电池应用，控制器实物如图4左所示。贝岭电机控制器验证平台采用叠层设计，上层为控制级，下层为功率级。功率级布局如图4右所示，采用TO-263-7封装，单相5管并联。

 

图4 

贝岭150V SGT 电机控制器验证平台(左) 功率板卡设计(右)

 

图5 单管100A下应用中开通波形(左) 关断波形(右)

四贝岭功率器件选型方案

上海贝岭功率器件150V产品线，欢迎垂询！具体型号参考表1。对于多管并联应用场景，可提供需求栅极阈值电压Vth档位筛选服务。

表1 功率器件选型列表