SemiQ发布1700V SiC MOSFET新品

近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体领域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面型D-MOSFET系列，不仅展现了SemiQ在SiC技术领域的深厚积累，更为光伏、风能逆变器、储能系统、电动汽车及充电设施、不间断电源（UPS）以及感应加热和焊接系统等多个领域提供了全新的解决方案。

QSiC™ 1700V系列MOSFET以其卓越的性能脱颖而出。该系列产品具备高功率密度和紧凑的系统设计优势，极大地降低了整体系统成本，为用户带来了显著的经济效益。同时，这些器件的高可靠性设计也是其一大亮点。内置的体二极管能够在高达175°C的环境下稳定运行，确保了设备在各种恶劣条件下的稳定性和耐用性。

为了确保产品的长期稳定性和安全性，SemiQ对所有QSiC™ 1700V系列器件进行了严格的测试。这些器件均经过了超过1900V的高电压测试和600mJ的UIL雪崩测试，充分证明了其在长时间使用中的可靠性和安全性。

SemiQ表示，此次发布的QSiC™ 1700V系列SiC MOSFET新品，是公司不断创新和追求卓越的结果。未来，SemiQ将继续致力于SiC功率半导体技术的研发和推广，为更多领域提供高效、可靠、经济的解决方案，推动全球能源转型和绿色可持续发展。