ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT

　　全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展标志着ROHM在高性能功率半导体领域取得了又一重大突破。

　　TOLL封装以其紧凑的体积、卓越的散热性能以及出色的电流容量和开关特性而备受瞩目。这些优势使得TOLL封装在工业设备、车载设备以及大功率应用领域具有广泛的应用前景。ROHM此次量产的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封装的650V耐压GaN HEMT，为市场提供了更为高效、可靠的功率解决方案。

　　值得一提的是，ROHM此次将封装工序外包给了在半导体后道工序领域拥有丰富经验的日月新半导体(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”)。ATX作为OSAT领域的佼佼者，为ROHM提供了高质量的封装服务，确保了“GNP2070TD-Z”的顺利量产。

　　此次量产不仅进一步巩固了ROHM在高性能功率半导体领域的领先地位，也为全球客户提供了更为先进、可靠的功率解决方案。ROHM将继续致力于技术创新，推动半导体行业的持续发展。