技术资料#LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，该器件的固有优势包括超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低多达 80%）以及低开关节点振铃（可降低 EMI）。这些优势实现了像图腾柱 PFC 这样的密集和高效的拓扑结构。
*附件：具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 数据表.pdf

LMG341xR150 通过集成一组独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供智能替代方案。集成栅极驱动可在接近零的 V 电压下实现 100 V/ns 的开关DS 系列振铃、小于 100ns 的电流限制响应可针对意外的击穿事件进行自我保护，过热关断可防止热失控，系统接口信号提供自我监控功能。

特性

• TI GaN 工艺通过加速可靠性应用内硬开关配置文件认证
• 支持高密度电源转换设计
  • 优于共源共栅或独立 GaN FET 的系统性能
  • 低电感 8 mm × 8 mm QFN 封装，易于设计和布局
  • 可调节的驱动强度，用于开关性能和 EMI 控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 只需要 +12 V 的非稳压电源
• 集成栅极驱动器
  • 零共源电感
  • 高频设计的传播延迟为 20ns
  • 用于补偿阈值变化的微调栅极偏置电压可确保可靠的开关
  • 25V/ns 至 100V/ns 可调转换速率
• 强大的保护
  • 无需外部保护元件
  • 具有 <100 ns 响应的过流保护
  • 大于 150V/ns 的转换速率抗扰度
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 所有电源轨上的欠压锁定 （UVLO） 保护
• 设备选项：
  • LMG3410R150 ：锁存过流保护
  • LMG3411R150 ：逐周期过流保护

参数

方框图

1. 基本信息

• ‌型号‌：LMG341xR150
• ‌电压等级‌：600V
• ‌导通电阻‌：150mΩ
• ‌功能‌：集成驱动器、保护功能
• ‌制造商‌：Texas Instruments

2. 关键特性

• ‌集成驱动器‌：内置低电感驱动器，支持高达100V/ns的开关速度，减少开关损耗和EMI。
• ‌保护功能‌：
  • 过流保护（OCP）：快速响应（<100ns），可选循环周期过流保护（LMG3411R150）或锁定过流保护（LMG3410R150）。
  • 过温保护（OTP）：防止热失控，具有UVLO（欠压锁定）保护功能。
  • 瞬态过电压免疫：增强系统可靠性。
• ‌高效率‌：零反向恢复电荷，降低开关损耗。
• ‌封装‌：8mm × 8mm QFN封装，便于设计和布局。

3. 电气规格

• ‌最大漏源电压‌：600V
• ‌最大连续漏极电流‌：
  • @ Tj = 25°C：17A
  • @ Tj = 100°C：13.5A
• ‌最大脉冲漏源电流‌：43A
• ‌栅极驱动电压‌：+12V未调节电源
• ‌内部LDO输出‌：5V，用于外部数字隔离器
• ‌热阻‌：
  • θ JA ：28.6°C/W
  • θ JC(top) ：9.9°C/W
  • θ JC(bot) ：1.4°C/W

4. 开关性能

• ‌最大开关频率‌：支持高频设计
• ‌可调驱动强度‌：通过RDRV引脚调整，控制开关性能和EMI。
• ‌快速传播延迟‌：20ns，适用于高频应用。

5. 应用领域

• 工业AC-DC转换器
• 笔记本电脑电源适配器
• LED显示屏
• 伺服驱动器电源级

6. 设计指南

• ‌布局建议‌：使用四层或更多层PCB，最小化电源环路电感。
• ‌旁路电容‌：推荐在关键位置使用小尺寸、表面贴装电容。
• ‌信号隔离‌：在高侧和低侧电路之间使用高速数字隔离器，确保信号完整性。

7. 电源推荐

• ‌高侧供电‌：推荐使用隔离电源或自举二极管供电。
• ‌隔离电源设计‌：注意最小化互绕电容，减少开关损耗。
• ‌自举二极管选择‌：选择低反向恢复电荷和高频性能的二极管。