UCC27714 是一款 600V 高侧、低侧栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。该器件由一个以地为参考的通道 (LO) 和一个浮动通道 (HO) 组成,设计用于使用自举电源。该器件具有出色的稳健性和抗噪性,能够在高达 –8 V 的负电压下保持工作逻辑直流在 HS 引脚上(VDD = 12 V 时)。
该器件接受 10 V 至 20 V 的宽范围偏置电源输入,并为 VCC 和 HB 偏置电源引脚提供 UVLO 保护。UCC27714 采用 SOIC-14 封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C。
*附件:UCC27714 具有 4A 峰值输出的高速 600V 高压侧低侧栅极驱动器 数据表.pdf
特性
- 高侧、低侧配置,具有独立输入
- 在 600 V 电压下完全运行(HS 引脚)
- 专为 Bootstrap作而设计的浮动通道
- VDD = 15V 时 4A 灌电流 4A 拉电流的峰值输出电流能力
- 同类最佳的传播延迟(最大 125ns)
- 一流的延迟匹配(最大 20ns)
- TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑
- VDD 偏置电源范围为 10 V 至 20 V
- 两个通道的偏置 UVLO 保护
- 轨对轨驱动
- 在负电压瞬变下稳健运行
- 高 dv/dt 抗扰度 (HS Pin)
- 逻辑 (VSS) 和驱动器 (COM) 的分离接地,能够维持电压差
- 可选使能功能(引脚 4)
- 当 inputs 悬空时,输出保持为低电平
- 输入和使能引脚电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- 高压和低压引脚分开,以实现最大爬电距离和间隙
- 输入和使能引脚上的负电压处理能力
参数

方框图

1. 产品概述
- 产品名称:UCC27714
- 功能:高速600V高压侧低侧栅极驱动器,支持4A峰值输出,适用于驱动功率MOSFET或IGBT。
- 应用领域:半桥和全桥转换器、高密度开关电源、太阳能逆变器、电机驱动器和不间断电源(UPS)等。
2. 主要特性
- 高电压能力:支持高达600V(HS引脚)的工作电压。
- 双通道配置:高压侧(HO)和低压侧(LO)独立输入,支持浮动通道操作。
- 高输出电流:4A峰值源电流和4A峰值沉电流。
- 低传播延迟:最大125ns传播延迟,20ns最大延迟匹配。
- 宽电压范围:VDD偏置供电范围10V至20V。
- 保护功能:VDD和HB偏置欠压锁定(UVLO)保护,输入和使能引脚ESD保护。
- 独立输入:TTL和CMOS兼容输入逻辑,输入和使能引脚电压水平不受VDD偏置供电电压限制。
- 负电压处理能力:高压侧(HS)引脚可承受高达-8V的负电压。
3. 封装与尺寸
- 封装类型:SOIC-14
- 尺寸:3.91mm × 8.65mm
4. 电气特性
- UVLO阈值:VDD为8.4V至9.8V(开启),7.9V至9.3V(关闭);HB-HS为7.7V至9.0V(开启),6.7V至8.05V(关闭)。
- 输入阈值:HI/LI/EN引脚高阈值1.7V至2.7V,低阈值1.2V至2.1V。
- 输出特性:HO/LO输出高电平(70mV至120mV),低电平(15mV至40mV),输出阻抗低。
- 传播延迟:LI到LO/HI到HO的开启和关闭延迟均为90ns至125ns。
- 脉冲宽度:最小HI/LI开启脉冲宽度40ns,最小HI/LI关闭脉冲宽度40ns。
5. 热特性
- 热阻:RθJA(结到环境)为72.3°C/W,RθJC(结到壳顶)为31.8°C/W。
6. 应用信息
- 启用功能:使能引脚(EN)控制高压侧和低压侧驱动通道,内部上拉至VDD,默认启用状态。
- 最小输入脉冲操作:确保输入信号非常窄时,UCC27714处于正确状态。
- 同时支持HO和LO高电平:无交叉传导预防逻辑,允许HO和LO同时处于高电平状态(在某些电源供应拓扑中需要)。
- 100%占空比操作:只要VDD和HB偏置供电保持在UVLO阈值以上,支持常开或常关操作。
- 负HS电压操作:在HS引脚承受负电压时,保持稳健操作。
7. 布局指南
- 推荐布局:将UCC27714尽可能靠近MOSFET,以最小化高电流迹线长度。
- 电容放置:在VDD和HB-HS引脚旁放置电解电容和低ESR噪声去耦电容。
- 电阻放置:推荐在VDD引脚和偏置供电之间串联5Ω电阻,在自举二极管上串联2Ω至5Ω电阻。
8. 文档支持
- 提供用户指南、应用曲线、布局示例和相关文档,帮助设计师优化电路设计和性能。