英飞凌推出新款辐射耐受P沟道MOSFET，助力低地球轨道应用

英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间”应用提供高效、可靠的功率器件方面迈出了重要一步。
 

随着航天技术的迅猛发展，LEO卫星星座和其他空间系统的部署需求持续上升。为了成功实施这些次世代项目，工程师们需要高性能、快速交付的辐射耐受离散元件和集成电路。英飞凌的高可靠性(HiRel)业务部门高级副总裁兼总经理Chris Opoczynski表示：“有效的部署需要能够快速交付和优化成本的解决方案。我们充分利用了50年的航天技术积累，推出了业界首个高效、可靠的功率器件系列，以应对这一动态市场的挑战。”

新推出的60V P沟道MOSFET与现有的60V和150V N沟道MOSFET相辅相成，所有这些器件均采用塑料封装。与传统的密封封装相比，塑料封装的成本更低，且能够通过标准制造工艺实现大规模生产，极大地提高了生产效率。这种高性价比的选择，使得广泛应用于空间探测和通信的MOSFET成为可能。

 

值得一提的是，这些辐射耐受离散元件经过AEC-Q101相关测试认证，适用于空间应用。其单事件效应(SEE)评级达到46 MeV∙cm²/mg LET，并且总电离剂量(TID)范围在30到50 krad(Si)之间。这些性能使得它们可以在极端环境下稳定运行，从而支持长达两到五年的空间任务。

 

此外，这些MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，适应了各种严苛的工作条件。英飞凌采用的先进技术，如专利的CoolMOS™超结技术，使得其N沟道MOSFET在开关速度方面表现优异，相较于其他解决方案具有明显的竞争优势。快速开关能力不仅可以提高系统的整体效率，还能优化能耗，降低运营成本。

 

随着“新空间”概念的不断发展，市场对高效、可靠的电子元件需求日益增加。英飞凌通过推出适用于LEO应用的新款P沟道MOSFET，进一步丰富了其辐射耐受器件的产品线，巩固了在航天技术领域的领导地位。未来，随着太空产业的不断演进，英飞凌将继续致力于提供创新的解决方案，以满足不断变化的市场需求。

 

总之，英飞凌的这一新产品不仅为工程师们提供了更为灵活的设计选项，也为未来的太空探索与通信任务提供了可靠的技术支持。随着技术的进步和市场的扩展，英飞凌将继续推动航天电子产品的创新与发展，以促进整个行业的进步。