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TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.24 MB | 2025-03-17

陈月言

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TC1201是GaAs赝晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)芯片，具有极低的噪声系数、高相关增益和高动态范围。该器件可用于最高30 GHz的电路，适合低噪声和中功率放大器应用，包括各种商用和军用应用。所有设备都经过100% DC测试，以确保一致的质量。所有焊盘都是镀金的，用于热压或热声引线键合。

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