LM5022-Q1系列 6-60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器数据手册

LM5022-Q1 是一款高电压低侧 N 沟道 MOSFET 控制器，非常适合用于 升压和 SEPIC 稳压器。它包含实现单端所需的所有功能 主要拓扑。输出电压调节基于电流模式控制，可简化 环路补偿设计，同时提供固有的输入电压前馈。The LM5022-Q1 包括一个启动稳压器，可在 6 V 至 60 V 的宽输入范围内工作。The PWM 控制器专为高速功能而设计，包括高达 2.2 的振荡器频率范围 MHz 和总传播延迟小于 100 ns。其他功能包括误差放大器、 精密基准、线路欠压锁定、逐周期电流限制、斜率补偿、 软启动、外部同步功能和热关断。LM5022-Q1 现已上市 采用 10 引脚 VSSOP 封装。
*附件：LM5022-Q1 用于升压和 SEPIC 的 2.2MHz、60 V 低侧控制器数据表.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 1 级标准，结果如下：
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
    环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C5
• 内部 60V 启动稳压器
• 1A 峰值 MOSFET 栅极驱动器
• V在范围：6 V 至 60 V（启动后可在低至 3 V 的电压下工作）
• 占空比限制为 90%
• 具有迟滞的可编程 UVLO
• 逐周期电流限制
• 单电阻振荡器频率设置
• 可调开关频率至 2.2MHz
• 外部时钟同步
• 坡度补偿
• 可调软启动
• 10 引脚 VSSOP 封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：LM5022-Q1
• ‌类型‌：2.2MHz、60V 低侧N-Channel MOSFET控制器
• ‌应用‌：适用于升压（Boost）和单端初级电感转换器（SEPIC）拓扑

2. 关键特性

• ‌高电压启动调节器‌：内部集成60V启动调节器
• ‌高开关频率‌：最高可达2.2MHz
• ‌低侧控制‌：专为低侧N-Channel MOSFET设计
• ‌多功能保护‌：包括输入欠压锁定（UVLO）、逐周期电流限制、热关断等
• ‌灵活配置‌：可编程UVLO、可调开关频率、外部时钟同步、斜率补偿、软启动等

3. 性能参数

• ‌输入电压范围‌：6V至60V（启动后可低至3V）
• ‌最大占空比‌：90%
• ‌封装类型‌：10-Pin VSSOP
• ‌操作温度范围‌：-40°C至125°C

4. 功能描述

• ‌电流模式控制‌：基于电流模式的控制，简化环路补偿设计
• ‌内部误差放大器‌：提供高精度的输出电压调节
• ‌斜率补偿‌：避免电流模式控制下的次谐波振荡
• ‌软启动功能‌：减少启动时的电流冲击和电压过冲
• ‌热关断保护‌：防止芯片因过热而损坏

5. 应用领域

• ‌升压转换器‌：用于需要提高输出电压的应用场景
• ‌SEPIC转换器‌：适用于输入输出隔离且电压极性不变的应用

6. 典型应用

• ‌电路设计‌：提供了详细的升压转换器设计步骤，包括元件选型、参数计算等
• ‌效率优化‌：通过合理选择电感、电容和MOSFET等元件，实现高转换效率

7. 布局指南

• ‌关键布局原则‌：详细说明了PCB布局中的关键点，如电源路径、地线布局、滤波电容放置等
• ‌减小噪声干扰‌：提供了减小电磁干扰（EMI）和噪声干扰的布局建议