LM25122-Q1 3-42V 宽 VIN、具有多相功能的同步升压控制器数据手册

描述

LM25122 是一款多相同步升压控制器,适用于高效同步升压稳压器应用。控制方法基于峰值电流模式控制。电流模式控制提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和轻松的环路补偿。

开关频率可编程高达 600 kHz。两个具有自适应死区时间控制的稳健型 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器可实现更高的效率。用户可选的二极管仿真模式还支持不连续模式作,以提高轻负载条件下的效率。
*附件:具有多相能力的 LM25122-Q1 宽输入同步升压控制器数据表.pdf

一个内部电荷泵允许高侧同步开关 (旁路作) 实现 100% 占空比。180º 相移时钟输出可实现简单的多相位交错配置。其他功能包括热关断、频率同步、打嗝模式电流限制和可调线路欠压锁定。

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类 2 级
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 最大输入电压 : 42 V
  • 最小输入电压 : 3 V(4.5 V 用于启动)
  • 输出电压高达 50 V
  • 旁通 (V = V )作
  • 1.2 V 基准电压源,精度为 ±1.0%
  • 自由运行和可同步切换至 600 kHz
  • 峰值电流模式控制
  • 稳健的 3 A 集成栅极驱动器
  • 自适应死区时间控制
  • 可选的二极管仿真模式
  • 可编程逐周期电流限值
  • 打嗝模式过载保护
  • 可编程线路 UVLO
  • 可编程软启动
  • 热关断保护
  • 低关断静态电流: 9 μA
  • 可编程斜率补偿
  • 可编程跳跃周期模式降低了待机功耗
  • 允许外部 VCC 电源
  • 电感器 DCR 电流感应能力
  • 多相能力
  • 耐热性能增强型 20 引脚 HTSSOP 封装

参数
MOSFET

方框图
MOSFET

1. 产品概述

  • 型号‌:LM25122-Q1
  • 类型‌:宽输入同步升压控制器,具备多相能力
  • 应用‌:适用于12V、24V和48V电源系统,汽车启停系统,音频电源,高电流升压电源等

2. 主要特性

  • 宽输入范围‌:3V至42V(启动电压4.5V)
  • 输出电压‌:高达50V
  • 多相能力‌:支持多相配置,提高效率和负载能力
  • 控制模式‌:峰值电流模式控制,提供快速瞬态响应
  • 保护功能‌:包括过流保护、热关断保护、欠压锁定等
  • 同步整流‌:集成高效同步整流控制器,减少损耗
  • 可编程性‌:开关频率、软启动时间、电流限制等均可编程

3. 功能描述

  • 软启动‌:通过外部电容设置软启动时间,减少启动时的电流冲击
  • 电流限制‌:可编程的循环电流限制,保护电路免受过流损害
  • 热关断‌:内部热关断电路,防止温度过高损坏控制器
  • 欠压锁定‌:可编程的欠压锁定功能,确保输入电压在安全范围内
  • 同步整流‌:支持同步整流操作,提高转换效率
  • 多相配置‌:通过SYNCIN和SYNCOUT引脚实现多相配置,提高系统性能

4. 应用领域

  • 汽车电子‌:如汽车启停系统、车载音频电源等
  • 工业电源‌:需要宽输入范围和高效率升压转换的工业应用
  • 通信电源‌:为通信设备提供稳定的直流电源

5. 典型应用

  • 单相升压转换器‌:通过简单配置即可实现高效的单相升压转换
  • 多相升压转换器‌:通过多相配置,提高系统的负载能力和效率

6. 设计指南

  • 输入电容‌:选择合适的输入电容以减小输入电压纹波
  • 输出电容‌:选择合适的输出电容以减小输出电压纹波并提供足够的保持时间
  • 电感选择‌:根据负载电流和开关频率选择合适的电感
  • MOSFET选择‌:选择低导通电阻、高开关速度的MOSFET以提高效率
  • 布局建议‌:提供详细的PCB布局建议,以最小化噪声干扰和提高系统稳定性
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