UCD7242 是一个完整的电源系统,可随时驱动两个独立的降压电源。高压侧 MOSFET、低压侧 MOSFET、驱动器、电流感应电路和 必要的保护功能全部集成到一个整体解决方案中,以方便 最小的尺寸和最大的效率。驱动电路提供高充电和放电电流,用于 同步降压中的高侧 NMOS 开关和低侧 NMOS 同步整流器 电路。MOSFET 栅极由内部调节的 VGG系列供应。内部 VGG系列调节器可以是 disabled 以允许用户提供独立的栅极驱动电压。这种灵活性允许 2.2 V 至 18 V 的宽功率转换输入电压范围。内部欠压锁定 (UVLO) 逻辑确保 VGG系列良好后,才允许切屑作。
*附件:数字双通道同步降压电源驱动器 UCD7242-EP 数据表.pdf
同步整流器使能 (SRE) 引脚控制低侧 MOSFET 是否为 当 PWM 信号为低电平时打开。当 SRE 为高电平时,该器件以连续导通方式工作 模式。在此模式下,驱动逻辑模块使用 PWM 信号来控制 高侧和低侧栅极驱动信号。死区时间也经过优化,以防止交叉传导。 当 SRE 为低电平时,该器件在轻负载下以非连续导通模式工作。在此模式下 低侧 MOSFET 始终保持关闭。
板载比较器监控通过高侧开关的电流,以保护 来自突然大电流负载的功率级。高侧比较器的消隐延迟设置为 避免与开关边沿噪声相吻合的误报。在发生过流故障时, 高侧 FET 关闭,故障标志 (FLT) 置位以提醒控制器。
MOSFET 电流由精密集成电流感应元件测量和监控。 这种方法在大部分负载范围内提供 ±5% 的精度。放大的信号是 可供 I 上的控制器使用星期一针。
片上温度感应将芯片温度转换为电压 T星期一pin 供控制器使用。如果芯片温度超过 170°C,则 温度传感器启动热关断,停止输出切换并设置 FLT 标志。 当芯片温度低于热滞带时,恢复正常运行。
特性
- 完全集成的电源开关,带有用于
双通道同步降压转换器的驱动器 - 与 TI Fusion 数字电源
控制器(如 UCD92xx 系列)完全兼容 - 宽输入电压范围:4.75V 至 18V
工作电压,低至 2.2V 输入,采用
外部偏置电源 - 每个通道高达 10A 的输出电流
- 工作开关频率为 2MHz
- 带电流限制标志的高压侧电流限制
- 板载稳压 6 V 驱动器电源,来自 V
在 - 热保护
- 温度感应输出 – 电压与芯片温度成正比
- UVLO 和 OVLO 电路确保适当的驱动电压
- 符合 RoHS 标准
- 精确的片上电流感应 (±5%)
参数

1. 产品概述
- 产品名称:UCD7242-EP
- 功能:集成高侧和低侧MOSFET驱动器、电流感应电路和保护功能的双通道同步降压电源驱动器。
- 特点:
- 适用于国防、航空航天和医疗设备应用。
- 与TI Fusion Digital Power控制器完全兼容。
- 宽输入电压范围:4.75V至18V。
- 每通道高达10A的输出电流。
- 支持高达2MHz的开关频率。
2. 封装与订购信息
- 封装类型:32引脚QFN(RSJ)
- 工作温度范围:-55°C至125°C
- 订购信息:UCD7242MRSJREP(ACTIVE状态)
3. 电气特性
- 供电电压:
- VIN:4.75V至20V(内部生成VGG时)
- VIN:2.2V至20V(外部生成VGG时)
- VGG:4.75V至6.25V(外部供应时)
- 门极驱动电压:VGG为+6.25V(内部调节)
- 过流保护:过流阈值12A至18.5A
- 热保护:热关断温度170°C,热滞回20°C
4. 功能与特性
- 同步整流使能:通过SRE引脚控制低侧MOSFET的同步整流功能。
- 电流感应与监控:集成高精度电流感应放大器,提供±5%的电流感应精度。
- 温度感应:提供与芯片温度成正比的电压输出(TMON引脚)。
- UVLO和OVLO:欠压锁定(UVLO)和过压锁定(OVLO)电路确保正确的驱动电压。
- 死区时间控制:优化死区时间以防止交叉导通。
5. 应用领域
- 典型应用:
- 数字控制的同步降压电源级。
- 高电流双相VRM/EVRD调节器,适用于桌面、服务器、电信和笔记本电脑处理器。
6. 设计指南
- 电感选择:提供详细的电感选择指南,考虑RMS电流、输出纹波电压和瞬态响应。
- 布局与接地:建议将关键信号路径保持短且远离高噪声区域,提供接地和旁路电容的指导。
- 热设计:提供多种热阻参数,帮助用户进行热设计。
7. 性能指标
- 效率:在多种输入电压、输出电压和负载条件下提供高达90%以上的效率。
- 可靠性:提供MTTF(平均无故障时间)数据,显示在高负载和高温条件下的可靠性。
8. 安全与合规
- RoHS合规:符合RoHS指令,不含有害物质。
- 静电放电保护:提供有限的ESD保护,建议在存储或处理时采取防静电措施。