纳祥科技30V 30A双N沟道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF

 

30V 30A双N沟道MOSFET

纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。

 

在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。

 

 

NX7011主要特性
 

 

 

 

NX7011的主要特性有以下几个：

 

● 30V，30A

● RDS(ON) =7.3mΩ (Typ.) @ VGS = 10V

● RDS(ON)=9.8mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V

● 先进的沟槽技术

● 提供先进的RDS(ON)

 

 

NX7011芯片亮点
 

 

 

 

NX7011采用小型化封装，导通电阻低，电路性能优良。

 

① 小型化封装

NX7011采用PDFN3*3小型化封装，有助于节省PCB设计空间。NX7011还具备良好的电气性能与热性能，通用性和兼容性强。

 

② 低漏源导通电阻

在栅极电压为 10V 时，NX7011的漏极与源极之间呈现的典型导通电阻为 7.3 mΩ ，能够减少功率损耗，简化散热要求，增强电路性能。

 

 

NX7011应用领域
 

 

 

 

因其性能特质，NX7011应用范围广泛，特别适用于需要高电流处理和大功率控制的场合，如无线充，电动工具、液晶电视、电动自行车、安防、电机‌等领域中。