UCC28C4x-Q1 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器。
UCC28C4x-Q1 系列支持具有 UVLO 和最大占空比限制选项的固定频率、峰值电流模式反激式实施。UCC28C4X-Q1 可配置使用辅助绕组的初级侧调节或使用光耦合器的次级侧调节。该系列器件具有高达 1 MHz 的高频工作频率、低启动和工作电流,从而最大限度地减少了启动损耗和工作功耗,从而提高了效率。这些器件还具有 35ns 的快速电流感应到输出延迟时间,以及 ±1A 峰值输出电流能力,可直接驱动大型外部 MOSFET。
*附件:UCC28C4x-Q1 汽车级 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器数据表.pdf
UCC28C4x-Q1 系列采用 8 引脚 SOIC (D) 封装。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 设备温度等级 1:-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分类 2 级:±2 kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B:750 V
- 功能安全
- 工作频率:最大 1 MHz
- 50μA 待机电流,最大 100μA
- 52 kHz 时工作电流低至 2.3 mA
- 快速 35ns 逐周期过流限制
- ±1A 峰值输出电流
- 轨到轨输出摆幅,上升时间为 25 ns,下降时间为 20 ns
- ±1% 初始调整 2.5V 误差放大器基准
- 调整振荡器放电电流
- 新的欠压锁定版本
参数

一、产品概述
- 产品名称:UCC28C4x-Q1
- 类型:汽车级BiCMOS低功耗电流模式PWM控制器
- 特点:
- AEC-Q100认证,适用于汽车应用
- 低功耗设计,最大工作电流2.3mA,待机电流50μA
- 高频操作,最高可达1MHz
- 快速循环过流限制,35ns响应时间
- ±1A峰值输出电流,适用于驱动N沟道MOSFET
二、封装与引脚
- 封装类型:8-pin SOIC (D)
- 主要引脚功能:
- VDD:电源输入
- VREF:5V参考电压输出
- COMP:误差放大器输出,用于补偿
- FB:误差放大器反相输入,用于电压反馈
- CS:电流感测输入,非反相输入到PWM比较器
- RT/CT:振荡器定时引脚,用于设置开关频率
- GND:信号和功率地
- OUT:高电流输出,用于驱动MOSFET
三、电气特性
- 工作电压范围:VDD 18V(最大)
- 参考电压:VREF = 5V ±1%
- 振荡器频率:50kHz至1MHz可编程
- 输出驱动能力:OUT引脚峰值电流±1A
- 软启动:通过外部电容实现软启动功能
- 过温保护:内置热关断保护
- 欠压锁定(UVLO):多种UVLO阈值选项,适用于不同应用
四、功能特点
- 高精度内部参考电压:2.5V ±1%,用于误差放大器非反相输入
- 电流模式控制:提供快速瞬态响应和过流保护
- 循环过流限制:快速响应过流情况,保护电源和负载
- 软启动:防止启动时的电流冲击,延长器件寿命
- 灵活的UVLO选项:适应不同电源电压范围的应用
- 同步能力:振荡器可同步到外部时钟信号
五、应用信息
- 典型应用:汽车电源系统、DC-DC转换器、电池管理系统
- 设计指南:提供了详细的应用电路图和设计步骤,包括电流感测、电压反馈、补偿网络和保护电路的设计
六、文档支持
- 提供了全面的数据表,包括引脚功能描述、电气特性、功能框图、应用电路图和设计指南
- 支持TI的WEBENCH® Power Designer工具,方便用户进行自定义设计和仿真