LM3478Q-Q1 40V 宽 VIN 低侧 N 沟道控制器，适用于关断电流为 10μA 的开关稳压器技术手册

LM3478Q-Q1 是一款用于开关稳压器的多功能低侧 N 沟道 MOSFET 控制器。它适用于需要低侧 MOSFET 的拓扑结构，如升压、反激式、SEPIC 等。此外，LM3478Q-Q1 可以在极高的开关频率下运行，以减小整体解决方案的尺寸。LM3478Q-Q1 的开关频率可以使用单个外部电阻器调整为 100 kHz 至 1 MHz 之间的任何值。电流模式控制除了逐周期电流限制外，还提供了卓越的带宽和瞬态响应。输出电流可使用单个外部电阻器进行编程。

LM3478Q-Q1 具有热关断、短路保护、过压保护等内置功能。省电关断模式将总电源电流降至 5 μA，并允许电源排序。内部软启动限制启动时的浪涌电流。
*附件：LM3478Q-Q1 用于开关稳压器的高效低侧 N 沟道控制器 数据表.pdf

特性

• LM3478Q-Q1 符合 AEC-Q100 标准，并采用汽车级流程制造
• 8 引脚 VSSOP-8
• 具有 1A 峰值电流能力的内部推挽式驱动器
• 电流限制和热关断
• 使用电容器和电阻器优化的频率补偿
• 内部软启动
• 电流模式作
• 带滞后的欠压锁定

参数

方框图

一、产品概述

• ‌产品名称‌：LM3478Q-Q1
• ‌类型‌：高效低侧N沟道MOSFET控制器，适用于开关稳压器
• ‌封装‌：8引脚VSSOP-8
• ‌应用‌：分布式电源系统、电池充电器、离线电源、电信电源、汽车电源系统等

二、主要特性

• ‌AEC-Q100认证‌：适用于汽车级应用
• ‌内部推挽驱动‌：峰值电流能力达1A
• ‌电流限制与热关断保护‌
• ‌频率补偿‌：通过电容和电阻优化
• ‌内部软启动‌
• ‌电流模式控制‌
• ‌欠压锁定（UVLO）与迟滞‌
• ‌可调时钟频率‌：100kHz至1MHz
• ‌高精度内部参考‌：±2.5%（过温）
• ‌低关机电流‌：10μA（过温）

三、电气特性

• ‌工作电压范围‌：2.97V至40V
• ‌反馈电压‌：1.26V
• ‌软启动延迟‌：4ms
• ‌驱动电压摆幅‌：最大7.2V
• ‌最大占空比‌：100%
• ‌短路电流限制感测电压‌：343mV
• ‌过压保护‌：相对于反馈电压的3250mV

四、功能描述

• ‌ 过压保护（OVP） ‌：当反馈电压超过设定阈值时，关闭驱动引脚，保护输出电路。
• ‌斜率补偿‌：避免占空比大于50%时的次谐波振荡，可通过外部电阻增加斜率补偿。
• ‌频率调整/关机‌：通过FA/SD引脚连接电阻调整开关频率，高电平关机。
• ‌短路保护‌：当感测电阻上的电压超过设定阈值时，降低开关频率以保护电路。

五、典型应用

• ‌升压（Boost）转换器‌：提供高效率的升压转换，适用于低输入电压场景。
• ‌SEPIC转换器‌：实现输入与输出的隔离，适用于需要真关断的应用。

六、设计指南

• ‌电感选择‌：根据平均电感电流和电感电流纹波选择合适的电感值。
• ‌输出电容选择‌：考虑ESR和ESL，以实现低纹波电压和高效率。
• ‌补偿元件选择‌：详细解释如何选择补偿电容和电阻以稳定控制环路。

七、布局建议

• ‌最小化AC电流环路‌：减少开关噪声的影响。
• ‌地平面设计‌：确保足够的地面面积以散热，并避免地环路电流。
• ‌输入电容布局‌：靠近VIN引脚放置，并使用高质量电容。

八、封装与尺寸

• ‌封装类型‌：VSSOP-8
• ‌具体尺寸‌：3.00mm x 3.00mm（体尺寸），请参考数据表中的封装图纸获取详细尺寸信息。