LM5022 器件是一款高电压、低侧、N 沟道 MOSFET 控制器,非常适合用于升压和 SEPIC 稳压器。它包含实现单端主拓扑所需的所有功能。输出电压调节基于电流模式控制,简化了环路补偿的设计,同时提供了固有的输入电压前馈。LM5022 包括一个启动稳压器,可在 6V 至 60V 的宽输入范围内工作。PWM 控制器专为高速功能而设计,包括高达 2.2 MHz 的振荡器频率范围和小于 100 ns 的总传播延迟。其他功能包括误差放大器、精准基准、线路欠压锁定、逐周期电流限制、斜率补偿、软启动、外部同步功能和热关断功能。LM5022 采用 10 引脚 VSSOP 封装。
*附件:LM5022 用于升压和 SEPIC 的 60V 低侧控制器数据表 .pdf
特性
- 内部 60V 启动稳压器
- 1A 峰值 MOSFET 栅极驱动器
- V
在范围:6 V 至 60 V(启动后可在低至 3 V 的电压下工作) - 占空比限制为 90%
- 具有滞后的可编程 UVLO
- 逐周期电流限制
- 外部同步(交流耦合)
- 单电阻振荡器频率设置
- 坡度补偿
- 可调软启动
- 10 引脚 VSSOP 封装
参数

方框图

1. 产品概述
- 产品名称:LM5022
- 类型:60V 低侧控制器
- 应用:升压(Boost)和单端初级电感转换器(SEPIC)
- 特点:
- 内部60V启动调节器
- 1A峰值MOSFET栅极驱动器
- 输入电压范围:6V至60V(启动后低至3V)
- 占空比限制为90%
- 可编程欠压锁定(UVLO)与迟滞
- 逐周期电流限制
- 外部同步能力(AC耦合)
- 单电阻振荡器频率设置
- 斜率补偿
- 可调软启动
- 10引脚VSSOP封装
2. 功能描述
2.1 高压启动调节器
- 允许VIN引脚直接连接到高达60V的线路电压。
- 调节器输出内部电流限制为35mA(典型值)。
- 当VCC引脚电压达到5V时,控制器输出使能。
2.2 输入欠压检测器(UVLO)
- 通过连接UVLO引脚到VIN和GND之间的外部电压分压器来编程。
- 如果欠压阈值未满足,控制器所有功能被禁用,进入低功耗待机状态。
2.3 误差放大器
- 内部高增益误差放大器,非反相输入设置为固定参考电压1.25V。
- 反相输入连接到FB引脚,用于输出电压调节。
2.4 电流检测和电流限制
- 提供逐周期过流保护功能。
- 如果电流感应比较器输入电压超过0.5V,MOSFET栅极驱动立即终止。
2.5 PWM比较器和斜率补偿
- PWM比较器将电流斜坡信号与误差放大器输出产生的误差电压进行比较。
- 斜率补偿避免次谐波振荡,简化控制环路补偿设计。
2.6 软启动
- 软启动功能使转换器输出逐渐达到初始稳态输出电压,减少启动应力和电流浪涌。
2.7 MOSFET栅极驱动器
- 提供内部栅极驱动器,通过OUT引脚控制外部N沟道MOSFET,峰值电流能力为1A。
2.8 热关断
- 内部热关断电路在结温超过典型值165°C时保护LM5022,降低输出驱动器和VCC调节器功耗。
3. 应用信息
3.1 典型应用
- 电路:非隔离升压调节器
- 输入电压范围:9V至16V
- 输出电压:40V
- 最大输出电流:500mA
- 开关频率:500kHz
3.2 设计步骤
- 选择开关频率:基于尺寸、成本和效率的权衡。
- 选择MOSFET:考虑成本、尺寸和效率的权衡,计算导通损耗、栅极充电损耗和开关损耗。
- 选择输出二极管:使用肖特基二极管以减少正向压降和反向恢复时间。
- 选择升压电感器:基于所需的峰值到峰值纹波电流和平均电感电流选择电感值。
- 选择输出电容器:基于电容值、等效串联电阻(ESR)和RMS或AC电流额定值选择。
- 选择VCC解耦电容器:使用陶瓷电容器,最小X5R或X7R类型,额定值至少为470nF。
- 选择输入电容器:基于电容值、ESR和RMS电流额定值选择。
- 设计电流感应滤波器和限流电路。
- 控制环路补偿:使用Type II补偿网络,通过Bode图调整增益和相位。
4. 封装与订购信息
- 封装类型:10引脚VSSOP
- 封装尺寸:3.00mm × 3.00mm
- 订购选项:包括不同数量的样品和卷带包装选项。
5. 布局指南
- 输入和输出电容器:使用低ESR陶瓷电容器,并尽可能靠近LM5022的相应引脚。
- 电流感应电阻:R_SNS的顶端应使用尽可能短的迹线连接到CS引脚,并远离电感和开关节点。
- 反馈电阻:R_FB1和R_FB2应靠近LM5022放置。
- 地平面和形状路由:优化连续电流和脉动电流的路由,减少噪声注入。