LM3477 用于开关稳压器的高效高侧 N 沟道控制器数据手册

描述

LM3477/A 是一款高侧 N 沟道 MOSFET 开关稳压控制器。可以是 用于需要高压侧 MOSFET 的拓扑,例如降压、反相 (Buck-Boost) 和 zeta 监管 机构。LM3477/A 的内部推挽式驱动器允许与各种 MOSFET 的本 该 具有 宽 输入 电压 范围 , 采用 分立 功率 元 件 且 可调 电流限制允许 LM3477/A 针对各种应用进行优化。
*附件:LM3477 用于开关稳压器的高效高侧 N 沟道控制器 数据表.pdf

LM3477/A 使用 500kHz 的高开关频率来降低整体解决方案 大小。电流模式控制只需要一个电阻器和电容器即可实现频率 补偿。电流模式架构还可产生出色的线路和负载调节,并且 逐周期电流限制。5μA 关断状态可用于省电和供电 供应排序。其他功能包括内部软启动和输出过压保护。 内部软启动减少了浪涌电流。过压保护是一项安全功能,可以 确保输出电压保持在调节范围内。

LM3477A 与 LM3477 类似。两者之间的主要区别在于点 此时设备转换为 Hysteretic Mode。LM3477A 的滞后阈值为 LM3477 的三分之一。

特性

  • 500kHz 开关频率
  • 可调电流限制
  • 1.5% 参考
  • 热关断
  • 频率补偿采用单个电容器和电阻器进行优化
  • 内部软启动
  • 电流模式作
  • 带滞后的欠压锁定
  • 8 引脚 (VSSOP-8) 封装

参数
电流限制

方框图
电流限制

概述

LM3477是一款高效高侧N沟道MOSFET控制器,专为开关稳压器设计。它适用于需要高侧MOSFET的拓扑结构,如降压(Buck)、反相降压-升压(Buck-Boost)和Zeta调节器等。该控制器提供了高达500kHz的开关频率,以减小整体解决方案的尺寸。

主要特性

  • 高开关频率‌:500kHz,有助于减小电感器和电容器的尺寸。
  • 电流模式控制‌:提供优越的线路和负载调节,以及逐周期电流限制。
  • 频率补偿‌:通过单个电容和电阻组件进行优化。
  • 内部软启动‌:限制启动时的浪涌电流。
  • 欠压锁定‌:具有迟滞特性,保护电路免受低电压条件的影响。
  • 过压保护‌:确保输出电压保持在规定范围内。
  • 热关断‌:防止IC因过热而损坏。
  • 可调整电流限制‌:允许用户根据应用需求设置电流限制水平。

应用

  • 互联网设备
  • 打印机和办公设备
  • 电池供电设备
  • 电缆调制解调器

功能框图

功能框图展示了LM3477的主要组成部分,包括电流感测输入、补偿/关断、反馈、自举、驱动引脚、开关节点、模拟地和电源地等。

电气特性

  • 反馈电压‌:1.27V(典型值)
  • 欠压锁定阈值‌:2.87V(典型值)
  • 开关频率‌:500kHz(典型值)
  • 驱动开关导通电阻‌:顶部7Ω,底部4Ω(典型值)
  • 电流限制电压‌:LM3477为155mV(0%占空比),LM3477A为165mV(0%占空比)
  • 过压保护阈值‌:相对于反馈电压的阈值为50mV(典型值)

典型应用

降压(Buck)转换器

  • 设计要求‌:包括输入电压范围、输出电压、输出电流范围和所需开关频率。
  • 设计步骤‌:涉及电感选择、输出电容选择、MOSFET选择、二极管选择以及补偿组件的选择。

功能描述

  • 工作模式‌:包括脉冲宽度调制(PWM)模式和滞回模式。在轻负载条件下,LM3477/A将切换到滞回模式以提高效率。
  • 斜率补偿‌:LM3477/A采用可调整斜率补偿方案,允许使用更小的电感器。
  • 过压保护‌:当反馈电压超过预设阈值时,将触发过压保护,强制关闭MOSFET。

封装与订购信息

  • 封装类型‌:8引脚VSSOP封装。
  • 订购信息‌:提供不同封装和数量的订购选项,包括RoHS和Green版本。

设计指南

  • 电感选择‌:根据输出电压纹波要求选择合适的电感值。
  • 输出电容选择‌:考虑电容的容值、ESR和电压额定值。
  • MOSFET选择‌:根据输入电压、输出电流和开关频率选择合适的MOSFET。
  • 补偿网络设计‌:根据电源级参数设计补偿网络,以确保控制环路的稳定性。
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