LM3477/A 是一款高侧 N 沟道 MOSFET 开关稳压控制器。可以是 用于需要高压侧 MOSFET 的拓扑,例如降压、反相 (Buck-Boost) 和 zeta 监管 机构。LM3477/A 的内部推挽式驱动器允许与各种 MOSFET 的本 该 具有 宽 输入 电压 范围 , 采用 分立 功率 元 件 且 可调 电流限制允许 LM3477/A 针对各种应用进行优化。
*附件:LM3477 用于开关稳压器的高效高侧 N 沟道控制器 数据表.pdf
LM3477/A 使用 500kHz 的高开关频率来降低整体解决方案 大小。电流模式控制只需要一个电阻器和电容器即可实现频率 补偿。电流模式架构还可产生出色的线路和负载调节,并且 逐周期电流限制。5μA 关断状态可用于省电和供电 供应排序。其他功能包括内部软启动和输出过压保护。 内部软启动减少了浪涌电流。过压保护是一项安全功能,可以 确保输出电压保持在调节范围内。
LM3477A 与 LM3477 类似。两者之间的主要区别在于点 此时设备转换为 Hysteretic Mode。LM3477A 的滞后阈值为 LM3477 的三分之一。
特性
- 500kHz 开关频率
- 可调电流限制
- 1.5% 参考
- 热关断
- 频率补偿采用单个电容器和电阻器进行优化
- 内部软启动
- 电流模式作
- 带滞后的欠压锁定
- 8 引脚 (VSSOP-8) 封装
参数

方框图

概述
LM3477是一款高效高侧N沟道MOSFET控制器,专为开关稳压器设计。它适用于需要高侧MOSFET的拓扑结构,如降压(Buck)、反相降压-升压(Buck-Boost)和Zeta调节器等。该控制器提供了高达500kHz的开关频率,以减小整体解决方案的尺寸。
主要特性
- 高开关频率:500kHz,有助于减小电感器和电容器的尺寸。
- 电流模式控制:提供优越的线路和负载调节,以及逐周期电流限制。
- 频率补偿:通过单个电容和电阻组件进行优化。
- 内部软启动:限制启动时的浪涌电流。
- 欠压锁定:具有迟滞特性,保护电路免受低电压条件的影响。
- 过压保护:确保输出电压保持在规定范围内。
- 热关断:防止IC因过热而损坏。
- 可调整电流限制:允许用户根据应用需求设置电流限制水平。
应用
- 互联网设备
- 打印机和办公设备
- 电池供电设备
- 电缆调制解调器
功能框图
功能框图展示了LM3477的主要组成部分,包括电流感测输入、补偿/关断、反馈、自举、驱动引脚、开关节点、模拟地和电源地等。
电气特性
- 反馈电压:1.27V(典型值)
- 欠压锁定阈值:2.87V(典型值)
- 开关频率:500kHz(典型值)
- 驱动开关导通电阻:顶部7Ω,底部4Ω(典型值)
- 电流限制电压:LM3477为155mV(0%占空比),LM3477A为165mV(0%占空比)
- 过压保护阈值:相对于反馈电压的阈值为50mV(典型值)
典型应用
降压(Buck)转换器
- 设计要求:包括输入电压范围、输出电压、输出电流范围和所需开关频率。
- 设计步骤:涉及电感选择、输出电容选择、MOSFET选择、二极管选择以及补偿组件的选择。
功能描述
- 工作模式:包括脉冲宽度调制(PWM)模式和滞回模式。在轻负载条件下,LM3477/A将切换到滞回模式以提高效率。
- 斜率补偿:LM3477/A采用可调整斜率补偿方案,允许使用更小的电感器。
- 过压保护:当反馈电压超过预设阈值时,将触发过压保护,强制关闭MOSFET。
封装与订购信息
- 封装类型:8引脚VSSOP封装。
- 订购信息:提供不同封装和数量的订购选项,包括RoHS和Green版本。
设计指南
- 电感选择:根据输出电压纹波要求选择合适的电感值。
- 输出电容选择:考虑电容的容值、ESR和电压额定值。
- MOSFET选择:根据输入电压、输出电流和开关频率选择合适的MOSFET。
- 补偿网络设计:根据电源级参数设计补偿网络,以确保控制环路的稳定性。