CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技术手册

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、双 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。这款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏极到漏极导通电阻，可最大限度地减少损耗，并为空间受限的应用提供较少的元件数量。
*附件：CSD87503Q3E 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 双通道 N 沟道共源极 MOSFET
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• Low-Thermal Resistance
• 低 Qg和 QGD
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：CSD87503Q3E
• ‌类型‌：30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
• ‌封装‌：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
• ‌特性‌：双N沟道共用源极MOSFET，优化用于5V门驱动，低热阻，低栅极电荷（Qg 和 Qgd）

2. 应用领域

• USB Type-C/PD VBus 保护
• 电池保护
• 负载开关

3. 主要特性

• ‌电压‌：漏源电压（VDS）最高30V
• ‌电阻‌：漏到漏导通电阻（RDD(on)）在VGS=4.5V时为17.3mΩ，在VGS=10V时为13.5mΩ
• ‌栅极电荷‌：总栅极电荷（Qg）在4.5V时为13.4nC，在10V时为32.9nC
• ‌阈值电压‌：栅源阈值电压（VGS(th)）为1.7V
• ‌封装特性‌：无铅终端电镀，RoHS 合规，无卤素

4. 绝对最大额定值

• 漏源电压（VDS）：30V
• 栅源电压（VGS）：±20V
• 连续漏到漏电流（ID1,D2）：10A
• 脉冲漏到漏电流（ID1,D2M）：89A（脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%）
• 功率耗散（PD）：2.6W（典型RθJA=50°C/W时）
• 工作结温和存储温度（TJ, Tstg）：-55°C至150°C

5. 热特性

• 结到外壳热阻（RθJC）：8°C/W
• 结到环境热阻（RθJA）：典型值为50°C/W（安装在1英寸²、2盎司厚铜垫的FR4 PCB上）

6. 电气特性

• ‌静态特性‌：包括漏源击穿电压（BVDSS）、漏源泄漏电流（IDSS）、栅源泄漏电流（IGSS）等
• ‌动态特性‌：包括输入电容（CISS）、输出电容（COSS）、反向传输电容（CRSS）、栅极电荷（Qg、Qgd、Qgs）等
• ‌二极管特性‌：包括二极管正向电压（VSD）、反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）

7. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：SON 3.3mm × 3.3mm
• ‌订购选项‌：包括2500个的13英寸卷带和250个的7英寸卷带

8. 文档与支持

• 提供接收文档更新通知、社区资源链接、静电放电注意事项等

9. 附加信息

• ‌推荐PCB模式‌：详细说明了推荐的PCB布局和焊盘设计
• ‌推荐网版开口‌：提供了激光切割网版的推荐设计