CSD22205L -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、栅极ESD保护数据手册

这款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 （LGA） NexFET™ 器件旨在以尽可能小的外形提供最低的导通电阻和栅极电荷，并在超扁平中具有出色的热特性。基板栅格阵列 （LGA） 封装是一种硅芯片级封装，采用金属焊盘而不是焊球。
*附件：csd22205l.pdf

特性

• 低电阻
• 小尺寸 1.2 mm × 1.2 mm
• 扁平 0.36mm 高度
• 无铅
• 栅源电压钳
• 栅极 ESD 保护
• 符合 RoHS 规范
• 无卤素

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌低电阻‌：具有极低的导通电阻（R_DS(on)），在V_GS = -4.5 V时仅为8.2 mΩ。
• ‌小尺寸‌：采用1.2 mm × 1.2 mm的Land Grid Array (LGA)封装，具有极小的占用面积。
• ‌低剖面‌：高度仅为0.36 mm，适合对高度有严格要求的应用场景。
• ‌无铅‌：符合RoHS标准，无卤素，环保友好。
• ‌栅极保护‌：包括栅极-源极电压钳位和栅极ESD保护。
• ‌热特性优异‌：具有良好的热传导性能。

2. 应用领域

• ‌电池管理‌：适用于需要精确控制电池充放电过程的应用。
• ‌负载开关‌：用于控制电路的通断，提供低电阻路径。
• ‌电池保护‌：防止电池过充、过放等异常情况，延长电池使用寿命。

3. 产品描述

CSD22205L是一款-8-V、8.2 mΩ、1.2 mm × 1.2 mm LGA封装的NexFET™功率MOSFET。它旨在以最小的封装尺寸提供最低的导通电阻和栅极电荷，同时具有出色的热特性。该产品的LGA封装采用硅芯片级封装，使用金属焊盘而不是焊球。

4. 电气特性

• ‌静态特性‌：包括漏源电压（V_DS）、漏源泄漏电流（I_DSS）、栅源泄漏电流（I_GSS）和栅源阈值电压（V_GS(th)）等参数。
• ‌动态特性‌：包括输入电容（C_ISS）、输出电容（C_OSS）、反向传输电容（C_RSS）、栅极串联电阻（R_G）和栅极电荷（Q_g）等参数。
• ‌二极管特性‌：包括二极管正向电压（V_SD）和反向恢复电荷（Q_rr）等参数。

5. 热信息

• ‌热阻‌：包括结到环境的热阻（R_θJA），具体数值取决于封装方式和安装条件。

6. 机械、包装和订购信息

• ‌封装尺寸‌：提供了CSD22205L的详细封装尺寸图，包括引脚配置和尺寸标注。
• ‌焊盘推荐‌：给出了推荐的焊盘布局和尺寸，以确保良好的焊接质量和可靠性。
• ‌钢网推荐‌：提供了钢网开口的推荐尺寸，以优化锡膏印刷效果。
• ‌订购信息‌：列出了可订购的设备型号、封装类型、引脚数、每卷数量以及环保合规性等信息。