CSD88584Q5DC 40V、N 通道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

CSD88584Q5DC 40V 电源块是针对大电流电机控制应用（如手持式、无绳花园和电动工具）的优化设计。该器件采用 TI 的专利堆叠芯片技术，以最大限度地减少寄生电感，同时在节省空间的热增强型 DualCool 5mm™ × 6mm 封装中提供完整的半桥。该电源块器件具有裸露的金属顶部，允许简单的散热器应用通过封装顶部将热量从封装顶部吸出并远离 PCB，从而在许多电机控制应用所需的较高电流下实现卓越的热性能。
*附件：csd88584q5dc.pdf

特性

• 半桥电源块
• 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
• 低 RDS（ON） 可实现最小的导通损耗
  • 35A 时为 2.4W PLoss
• DualCool™ 散热增强套件
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 规范
• 无卤素
• 无铅端子电镀

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌半桥功率模块‌：集成了高、低侧MOSFET，形成完整的半桥电路。
• ‌高密度封装‌：采用5mm × 6mm的SON封装，节省空间。
• ‌低导通电阻‌：最小化传导损失，在V_GS = 10V、I_D = 30A时，R_DS(on)低至0.68 mΩ。
• ‌热性能增强‌：DualCool™封装技术，顶部暴露金属，便于散热。
• ‌环保合规‌：符合RoHS标准，无卤素，无铅端子镀层。

2. 应用领域

• ‌三相无刷直流电机控制‌：适用于手持式、无线园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用。
• ‌电池供电工具‌：支持高达8串锂电池的应用。
• ‌其他半桥和全桥拓扑‌：可用于各种需要半桥或全桥电路的场合。

3. 产品描述

CSD88584Q5DC是一款40V半桥功率模块，专为高电流电机控制应用设计。它采用了TI的堆叠芯片技术，以最小化寄生电感，并提供完整的半桥集成在一个5mm × 6mm的热增强DualCool™封装中。该封装具有暴露的金属顶部，便于安装散热片，从而在高电流需求下实现优异的热性能。

4. 规格参数

• ‌绝对最大额定值‌：包括输入电压、开关电压、栅极驱动电压、脉冲电流、功率耗散等。
• ‌推荐工作条件‌：包括栅极驱动电压、输入电源电压、开关频率、输出RMS电机绕组电流等。
• ‌功率块性能‌：提供了在不同条件下的功率损失数据。
• ‌热信息‌：包括结到环境的热阻（R_θJA）和结到外壳的热阻（R_θJC）。
• ‌电气特性‌：涵盖了静态特性（如漏源电压、阈值电压）、动态特性（如输入电容、栅极电荷）和二极管特性（如二极管正向电压）。

5. 应用与实现

• ‌无刷直流电机梯形控制‌：提供了无刷直流电机梯形控制的功能框图和绕组电流波形图。
• ‌功率损失曲线‌：给出了在不同条件下的功率损失曲线，帮助设计者在选择和应用时做出决策。
• ‌安全操作区（SOA）曲线‌：提供了关于板温和结温的安全操作边界。
• ‌设计示例‌：包括如何根据SOA调节电流和温度以保持安全操作的设计示例。

6. 布局指南

• ‌电气性能优化‌：提供了关于如何减少电压振铃、优化电流监测的布局建议。
• ‌热性能优化‌：讨论了如何通过热通孔和外部散热片来增强热性能。
• ‌布局示例‌：给出了顶层和底层布局示例，以及推荐的元件放置和连接方式。

7. 文档和支持

• ‌文档更新通知‌：用户可以通过TI官网注册接收文档更新通知。
• ‌支持资源‌：提供了TI E2E™支持论坛的链接，供工程师获取快速的设计帮助和验证答案。
• ‌商标信息‌：NexFET™和DualCool™是TI的商标。