CSD18510KCS 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET，单 TO-220,1.7mOhm数据手册

这款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
*附件：CSD18510KCS 40V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS（ON）
• 低热阻
• 雪崩评级
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 规范
• 无卤素
• TO-220 塑料封装

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌低栅极电荷‌：Qg（总栅极电荷）在VGS=10V时为118nC，有助于减少开关损耗。
• ‌低导通电阻‌：RDS(on)（漏源导通电阻）在VGS=10V时为1.4mΩ，有助于降低传导损耗。
• ‌低热阻‌：结到壳热阻RθJC为0.6°C/W，有利于散热。
• ‌雪崩能力‌：支持雪崩模式工作，具有较高的耐雪崩能量。
• ‌环保特性‌：无铅端子镀层，符合RoHS标准，无卤素。

2. 应用领域

• ‌次级侧同步整流‌：适用于DC-DC转换器中的次级侧同步整流，提高效率。
• ‌电机控制‌：可用于各种电机控制应用，如直流电机、步进电机等。

3. 产品描述

CSD18510KCS是一款40V、1.4mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，采用TO-220塑料封装。该器件专为最小化功率转换应用中的损耗而设计，具有低栅极电荷和低导通电阻等特性。

4. 规格参数

4.1 电气特性

• ‌漏源电压‌：VDS最大值为40V。
• ‌栅源阈值电压‌：VGS(th)的典型值为1.7V。
• ‌漏源导通电阻‌：RDS(on)在VGS=4.5V时为2.0mΩ，在VGS=10V时为1.4mΩ。
• ‌栅极电荷‌：Qg（总栅极电荷）在VGS=10V时为118nC。

4.2 热信息

• ‌结到壳热阻‌：RθJC为0.6°C/W。
• ‌结到环境热阻‌：RθJA为62°C/W。

5. 典型MOSFET特性

• ‌瞬态热阻抗‌：展示了器件在脉冲条件下的热阻抗特性。
• ‌饱和特性‌：展示了在不同栅源电压下的漏源电流与漏源电压关系。
• ‌转移特性‌：展示了栅源电压与漏极电流的关系。
• ‌栅极电荷‌：展示了栅极电荷与栅源电压的关系。
• ‌电容特性‌：展示了输入电容、输出电容和反向传输电容与栅源电压的关系。

6. 设备与文档支持

• ‌文档更新通知‌：用户可以通过TI官网的产品文件夹接收文档更新通知。
• ‌社区资源‌：提供了TI E2E™在线社区的链接，供工程师交流问题和解决方案。
• ‌静电放电警示‌：提醒用户注意静电放电保护，以防损坏MOS栅极。

7. 包装与订购信息

• ‌封装类型‌：TO-220塑料封装。
• ‌订购信息‌：提供了器件的订购编号、封装类型、引脚数、包装数量等信息。