CSD18512Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
*附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 .pdf

特性

• 低 RDS（开启）
• 低热阻
• 雪崩评级
• 逻辑电平
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 规范
• 无卤素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：CSD18512Q5B
• ‌类型‌：40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET
• ‌封装‌：SON 5mm × 6mm 塑料封装
• ‌特点‌：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀层、RoHS合规、无卤素

2. 应用领域

• DC-DC转换
• 次级侧同步整流
• 电机控制

3. 产品特性

• ‌ 典型值（T_A = 25°C） ‌：
  • 漏源电压（V_DS）：40V
  • 栅极总电荷（Q_g）：75nC（10V）
  • 导通电阻（R_DS(on)）：1.3mΩ（V_GS = 10V）
  • 阈值电压（V_GS(th)）：1.6V

4. 绝对最大额定值

• 漏源电压（V_DS）：40V
• 栅源电压（V_GS）：±20V
• 连续漏电流（I_D）：100A（封装限制），211A（硅限制，T_C = 25°C）
• 脉冲漏电流（I_DM）：400A
• 功率耗散（P_D）：3.1W（封装限制），139W（T_C = 25°C）
• 工作结温（T_J）、存储温度（T_stg）：-55°C 至 150°C
• 雪崩能量（E_AS）：205mJ（单脉冲，I_D = 64A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

5. 电气特性

• ‌静态特性‌：
  • 漏源泄漏电流（I_DSS）：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 32V）
  • 栅源泄漏电流（I_GSS）：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）
  • 导通电阻（R_DS(on)）：1.3mΩ 至 1.6mΩ（V_GS = 10V, I_D = 30A）
• ‌动态特性‌：
  • 输入电容（C_iss）：5480pF 至 7120pF（V_GS = 0V, V_DS = 20V, f = 1MHz）
  • 输出电容（C_oss）：537pF 至 699pF
  • 反向传输电容（C_rss）：256pF 至 333pF
  • 栅极总电荷（Q_g）：75nC 至 98nC（V_DS = 20V, I_D = 30A）
  • 开启延迟时间（t_d(on)）：7ns
  • 上升时间（t_r）：16ns
  • 关断延迟时间（t_d(off)）：31ns
  • 下降时间（t_f）：7ns
• ‌二极管特性‌：
  • 二极管正向电压（V_SD）：0.75V 至 1.0V（I_SD = 30A, V_GS = 0V）
  • 反向恢复电荷（Q_rr）：22nC（V_DS = 20V, I_F = 30A, di/dt = 300A/μs）
  • 反向恢复时间（t_rr）：17ns

6. 热信息

• ‌热阻‌：
  • 结到壳热阻（R_θJC）：0.9°C/W
  • 结到环境热阻（R_θJA）：50°C/W（安装在1in² 2oz Cu板上），125°C/W（安装在最小2oz Cu板上）

7. 封装与订购信息

• ‌封装尺寸‌：详细尺寸图见数据表第8-9页
• ‌订购信息‌：
  • CSD18512Q5B：2500片/13英寸卷带
  • CSD18512Q5BT：250片/7英寸卷带

8. 支持与文档

• 提供文档更新通知、社区资源、设计支持、静电放电（ESD）注意事项等信息。