东芝TLP5814H的四大核心优势

科技“隐形冠军”登场：TLP5814H如何驱动未来？

在新能源汽车、太阳能逆变器、工业电源等领域的核心系统中，东芝SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器TLP5814H如同“核心枢纽”，默默守护着高效与稳定。它不仅能在极端环境下稳定运行，更能通过精准信号传输，为设备注入强劲动力！

硬核实力：TLP5814H四大核心优势

1内置有源米勒钳位功能：通过抑制SiC MOSFET／IGBT关断时的寄生导通，避免米勒电容耦合导致的误触发，提升高压开关系统可靠性。

2高峰值输出电流：支持+6.8 A／-4.8 A的瞬态驱动能力，满足SiC MOSFET／IGBT高速开关对栅极电荷（Qg）的快速充放电需求。

3高额定工作温度：工作温度范围达到-40到125°C，适用于广泛的工业应用范围，如光伏逆变器和不间断电源系统。

4优秀的隔离特性：TLP5814H的光耦隔离技术提供高达5000 Vrms的隔离电压，确保在电气噪声环境中的高效能信号传输和系统保护。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。