TPS1213-Q1 汽车级 45V 低 Iq 高侧驱动器,具有低功耗模式和可调短路保护功能数据手册

描述

TPS12130-Q1 是一款具有保护和诊断功能的 45V 低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V–40V 的宽工作电压范围,专为 12V 系统设计而设计。该器件可以承受并保护负载免受低至 –40V 的负电源电压的影响。

TPS12130-Q1 集成了两个栅极驱动器,具有 1.69A 拉电流和 2A 灌电流能力,用于驱动主路径中的 MOSFET,165μA 拉电流和 2A 灌电流能力,用于低功耗路径。
*附件:tps1213-q1.pdf

在 LPM = Low 的低功耗模式下,低功率路径 FET 保持导通,主 FET 关闭。在此模式下,该器件的 IQ 低至 35μA (典型值)。进入活动状态的自动加载唤醒阈值可通过 ISCP/LWU 引脚进行调整。当 EN/UVLO 为低电平时,IQ 降至 1μA (典型值)。

该器件使用 MOSFET VDS 感应或使用外部 RSNS 电阻器提供可调节的短路保护。可以配置自动重试和闭锁故障行为。该器件还具有使用外部控制对内部短路比较器进行诊断SCP_TEST 输入功能。

TPS12130-Q1 采用 19 引脚 VSSOP 封装。

特性

  • AEC-Q100 汽车级 1 级温度认证
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全
  • 3.5V 至 40V 输入范围 (45V 绝对最大值)
  • 低至 –40V 的反向输入保护
  • 集成 11V 电荷泵
  • 低静态电流,低功耗模式下为 35μA (LPM = 低)
  • 1μA (典型值) 的低关断电流 (EN/UVLO = 低)
  • 强大的栅极驱动(G1PU/G1PD:1.69A 拉电流和 2A 灌电流)
  • 可调短路保护 (ISCP),具有可调响应时间 (TMR) 和故障标志输出 (FLT)
  • 从低功耗模式快速过渡到活动模式,带 WAKE 指示
    • 通过外部 LPM 触发器(从低到高)从低功耗路径到主路径的切换时间为 8μs
    • 可调负载唤醒阈值 (ILWU),从低功耗路径切换到主路径 (6μs)
  • 短路故障、电荷泵欠压和输入欠压期间的故障指示 (FLT)
  • 可调输入欠压锁定 (UVLO)
  • 短路比较器诊断 (SCP_TEST)

参数

电源电压

方框图
电源电压

一、产品概述

TPS1213-Q1 是一款45V低IQ(静态电流)汽车级高侧开关控制器,具有低功耗模式和可调负载唤醒功能。该器件专为12V系统设计,适用于需要高效电源管理和保护功能的汽车电子应用。

二、主要特性

  • AEC-Q100认证‌:符合汽车级标准,适用于-40°C至+125°C的工作温度范围。
  • 低功耗模式‌:在低功耗模式下,IQ低至35μA(典型值),有助于延长电池寿命。
  • 可调负载唤醒阈值‌:通过ISCP/LWU引脚调整负载唤醒阈值,以适应不同的应用需求。
  • 短路保护‌:具有可调短路保护功能和响应时间,以及故障标志输出(FLT)。
  • 快速模式切换‌:从低功耗模式到活动模式的切换时间仅为8μs。

三、引脚配置与功能

TPS1213-Q1 采用19引脚的VSSOP封装,主要引脚功能包括:

  • EN/UVLO‌:使能/欠压锁定引脚,用于控制器件的开启和关闭。
  • LPM‌:低功耗模式引脚,用于切换器件的工作模式。
  • INP‌:输入控制引脚,用于控制主FET的开关状态。
  • FLT‌:故障标志输出引脚,用于指示短路、欠压等故障情况。
  • WAKE‌:唤醒标志输出引脚,用于指示器件已从低功耗模式唤醒。

四、电气特性

  • 输入电压范围‌:3.5V至40V。
  • 系统静态电流‌:活动模式下为4355μA(典型值),低功耗模式下为35μA(典型值)。
  • 短路保护阈值‌:可通过外部电阻调整,最低可达30mV。
  • 响应时间‌:短路保护响应时间可通过外部电容调整,最快可达10μs。

五、功能描述

  • 电荷泵和门极驱动‌:内置11V、345μA的电荷泵,为门极驱动提供稳定的电源。主FET门极驱动具有1.69A的源电流和2A的沉电流能力,低功率路径FET门极驱动具有165μA的源电流和2A的沉电流能力。
  • 负载唤醒功能‌:当负载电流超过设定的唤醒阈值时,器件自动从低功耗模式唤醒并进入活动模式。
  • 短路保护‌:通过监测CS+和CS–引脚之间的电压来检测短路故障,并采取相应的保护措施。
  • 欠压保护‌:通过EN/UVLO引脚实现精确的欠压保护功能。

六、应用与实现

  • 典型应用‌:包括驱动持续供电(PAAT)负载、电池管理系统等。
  • 设计步骤‌:包括选择合适的外部MOSFET、配置短路保护参数、设计电源解耦电路等。
  • 电源建议‌:推荐在输入端使用RC滤波器以减少电源噪声的影响。
  • 布局指南‌:强调关键信号的布线、解耦电容的放置、地平面的处理等,以确保系统的稳定性和可靠性。

七、文档与支持

  • 相关文档‌:提供应用笔记、参考设计等相关文档链接。
  • 文档更新通知‌:用户可注册接收文档更新通知。
  • 技术支持‌:TI公司提供全面的技术支持和解决方案。

八、封装与订购信息

  • 封装类型‌:19引脚的VSSOP封装。
  • 订购信息‌:提供详细的订购信息,包括器件型号、封装类型、引脚数、批量信息等。
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