LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制以及过流和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个 MOSFET,以取代肖特基二极管,用于反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中具有第二个 MOSFET,该器件允许使用 HGATE 控制在发生过流和过压事件时进行负载断开(ON/OFF 控制)。该器件具有集成的电流感应放大器,可通过可调节的过流和短路阈值提供精确的电流监控。该器件具有可调节的过压截止保护功能。该器件具有 SLEEP 模式,可实现超低静态电流消耗 (6 μA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65 V。
*附件:lm74910-q1.pdf
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全
- 3V 至 65V 输入范围
- 低至 –65 V 的反向输入保护
- 在共漏极配置中驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
- 具有 10.5mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管作
- 低反向检测阈值 (–10.5 mV),具有快速关断响应 (0.5 μs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调过流和短路保护
- 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
- 可调的过压和欠压保护
- 2.5μA 的低关断电流 (EN=Low)
- 具有 6μA 电流的睡眠模式(EN=高,睡眠=低)
- 通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
- 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
参数

方框图

1. 产品概述
LM74910-Q1 是一款适用于汽车应用的理想二极管控制器,集成了电路断路器、欠压和过压保护功能,并具备故障输出功能。该器件专为汽车电池保护、ADAS 域控制器、信息娱乐系统、汽车音频外部放大器等应用设计。
2. 关键特性
- AEC-Q100 认证:符合汽车电子元件的可靠性标准。
- 宽输入电压范围:支持3V至65V的输入电压,适用于12V和24V汽车电池系统。
- 反向输入保护:可承受低至-65V的反向输入电压。
- 理想二极管操作:具有10.5mV的A到C正向电压降调节。
- 低反向检测阈值:-10.5mV,快速关断响应(0.5µs)。
- 可调过流和短路保护:提供灵活的过流和短路保护设置。
- 模拟电流监测输出:具备10%精度的电流监测功能。
- 可调过压和欠压保护:可根据应用需求调整过压和欠压保护阈值。
- 低功耗模式:SLEEP模式下仅消耗6µA电流,关机模式下低至2.5µA。
3. 功能描述
- 理想二极管控制:通过控制外部背对背N沟道MOSFET,实现理想二极管整流器功能,具备电源路径ON/OFF控制及过流和过压保护功能。
- 电荷泵:为外部MOSFET提供必要的驱动电压,支持宽范围的输入电压。
- 双门控输出:DGATE和HGATE分别控制两个外部MOSFET,实现反向电池保护和负载断开功能。
- 过流保护:包括脉冲过载保护和短路保护,可通过外部电容和电阻调整保护阈值和响应时间。
- 过压和欠压保护:通过电阻分压网络设置过压和欠压阈值,保护系统免受电压瞬态影响。
- SLEEP模式:在SLEEP模式下,设备消耗极低的电流,同时提供刷新电流以维持始终开启的负载。
4. 应用领域
- 汽车电池保护
- ADAS域控制器
- 信息娱乐和仪表集群
- 汽车音频外部放大器
- 冗余电源的主动ORing
5. 封装与尺寸
- 封装类型:24引脚VQFN封装,尺寸为4.00mm × 4.00mm。
6. 设计指南
- MOSFET选型:根据应用需求选择合适的MOSFET,考虑最大连续漏极电流、漏源击穿电压、栅源阈值电压等参数。
- 电容选择:包括电荷泵电容、输入电容、输出电容和保持电容,需根据具体应用场景进行计算和选择。
- 电阻网络设计:用于设置过流、过压和欠压保护阈值,需根据保护要求选择合适的电阻值。
- 布局与布线:提供布局指南,建议关键信号线采用短而粗的走线,以降低电阻和电感,提高系统稳定性。
7. 文档与支持
- 提供详细的数据手册,包括规格、应用信息、布局指南等。
- 可通过TI的E2E™支持论坛获取设计帮助和快速验证答案。