LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高栅极驱动的 3V 至 65V 背靠背 NFET理想二极管控制器数据手册

LM74810 理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 （DGATE） 驱动第一个 MOSFET，以取代肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中具有第二个 MOSFET，允许使用 HGATE 控制进行负载断开（ON/OFF 控制）和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能。LM74810采用线性调节和比较器方案的反向电流阻断。对于功率 MOSFET 的共漏极配置，中点可用于使用另一个理想二极管的 OR-ing 设计。LM74810的最大额定电压为 65V。通过在共源拓扑中配置器件的外部 MOSFET，可以保护负载免受扩展过压瞬变的影响，例如 24 V 电池系统中的 200 V 非抑制负载突降。
*附件：lm7481.pdf

特性

• 适用于宽温应用
  • 器件温度：-55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
• 3V 至 65V 输入范围
• 低至 –65 V 的反向输入保护
• 驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
• 具有 9.1mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管作
• 低反向检测阈值 （–4 mV），具有快速响应 （0.5 μs）
• 高达 200KHz 的有源整流
• 60mA 峰值栅极 （DGATE） 导通电流
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 集成 3.8mA 电荷泵
• 可调过压保护
• 2.87μA 的低关断电流 （EN/UVLO=Low）
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

参数

方框图

1. 产品概述

LM7481 是一款理想二极管控制器，适用于3V至65V的宽输入电压范围，特别适用于汽车和工业应用中的反向极性保护、冗余电源ORing等场景。它通过驱动外部背对背N-Channel MOSFETs来模拟理想二极管的行为，提供低正向压降、快速反向阻断和过压保护等功能。

2. 主要特性

• ‌宽输入电压范围‌：3V至65V，支持12V和24V电池系统。
• ‌反向输入保护‌：可承受高达-65V的反向输入电压。
• ‌低正向压降‌：9.1mV的A到C正向电压降。
• ‌快速反向阻断‌：-4mV的反向检测阈值，0.5μs快速响应。
• ‌过压保护‌：可调过压保护阈值。
• ‌低关机电流‌：2.87μA（EN/UVLO=Low）。
• ‌高温应用‌：支持-55°C至+125°C的工作温度范围。

3. 电气规格

3.1 绝对最大额定值

• 输入引脚电压（相对于GND）：-65V至70V
• 输出引脚电压（相对于VS）：-65V至16.5V
• 结温：-55°C至150°C

3.2 推荐操作条件

• 输入电压范围：3V至65V
• 结温：-55°C至125°C（长期），150°C（短期）

3.3 电气特性

• 系统静态电流：397μA（典型值，VS=24V，EN/UVLO=2V）
• 反向输入泄漏电流：10μA至112μA（0V≤VA≤-65V）
• DGATE驱动电压：7V至13V（VS=3V至65V）
• HGATE驱动电压：7V至14.5V（VS=3V至65V）

4. 功能描述

• ‌理想二极管控制‌：通过集成的高精度电流感应和线性调节器，实现低正向压降和零反向电流。
• ‌负载断开与过压保护‌：通过HGATE控制第二个MOSFET，实现负载断开和过压保护功能。
• ‌低Iq关机模式‌：当EN/UVLO引脚电压低于阈值时，设备进入低Iq关机模式，降低功耗。
• ‌电荷泵‌：内置3.8mA峰值电流的电荷泵，为外部MOSFET的栅极驱动提供所需电压。

5. 应用信息

• ‌典型应用‌：包括12V反向电池保护、冗余电源ORing等。
• ‌设计工具‌：提供详细的应用电路图和设计指南，帮助用户快速实现所需功能。

6. 设计与实施

• ‌布局指南‌：强调关键信号线的短距离连接、热管理以及输入/输出电容的放置等。
• ‌TVS选择‌：针对不同的电池系统（12V或24V），提供TVS二极管的选择建议。

7. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：12引脚WSON封装。
• ‌订购信息‌：提供详细的订购代码和封装尺寸图。