LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二极管控制器，温度范围为 -55°C 至 125°C数据手册

LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 （DGATE） 驱动第一个 MOSFET，以取代肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中具有第二个 MOSFET，允许使用 HGATE 控制进行负载断开（ON/OFF 控制）和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能。LM7480 有两种型号，LM74800 和 LM74801。LM74800 采用线性稳压和比较器方案的反向电流阻断，而 LM74801 方案支持基于比较器的方案。对于功率 MOSFET 的共漏配置，中点可用于使用另一个理想二极管的 ORing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65 V。通过在共源拓扑中配置器件的外部 MOSFET，可以保护负载免受扩展过压瞬变的影响，例如 24 V 电池系统中的 200 V 非抑制负载突降。
*附件：lm7480.pdf

特性

• 适用于宽温应用
  • 器件温度：-55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
• 3V 至 65V 输入范围
• 低至 –65 V 的反向输入保护
• 驱动采用共漏极和共源极配置的外部背靠背 N 沟道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向压降调节 （LM74800） 的理想二极管作
• 低反向检测阈值 （–4.5 mV），具有快速响应 （0.5 μs）
• 20mA 峰值栅极 （DGATE） 导通电流
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 可调过压保护
• 2.87μA 的低关断电流（EN/UVLO = 低）
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

参数

方框图

1. 产品概述

LM7480是一款理想二极管控制器，可驱动和控制外部背靠背N沟道MOSFETs，以模拟理想二极管整流器，并提供电源路径ON/OFF控制和过压保护。其输入电压范围宽达3V至65V，适用于12V和24V电池供电系统的保护和控制。

2. 关键特性

• ‌宽输入电压范围‌：3V至65V
• ‌反向输入保护‌：可承受负供电电压低至-65V
• ‌理想二极管操作‌：A至C正向电压降调节至10.5mV（LM74800）
• ‌快速反向检测‌：低反向检测阈值（-4.5mV）和快速响应（0.5μs）
• ‌可调过压保护‌
• ‌低关断电流‌：2.87μA（EN/UVLO = Low）
• ‌小型封装‌：12引脚WSON封装

3. 功能描述

• ‌双门控输出‌：DGATE用于控制第一个MOSFET以模拟理想二极管，HGATE用于控制第二个MOSFET以实现电源路径的ON/OFF控制和过压保护。
• ‌电荷泵‌：为外部MOSFET提供所需的栅极驱动电压。
• ‌反向电池保护‌：在反向电压条件下快速关断MOSFET，防止反向电流。
• ‌过压保护‌：通过编程电阻设置过压阈值，当电压超过阈值时关断电源路径。
• ‌低Iq关断模式‌：通过EN/UVLO引脚控制，降低待机功耗。

4. 应用领域

• ‌航空电子‌：输入反向极性保护、传感器、成像、雷达
• ‌主动ORing‌：冗余电源

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：12引脚WSON封装
• ‌尺寸‌：3.00mm × 3.00mm

6. 设计指南

• ‌MOSFET选择‌：根据最大连续漏极电流、最大漏源电压、栅极阈值电压等参数选择合适的MOSFET。
• ‌电荷泵电容‌：选择合适的电容值以确保栅极驱动电压的稳定。
• ‌输入和输出电容‌：推荐至少使用0.1μF的输入和输出电容。
• ‌过压保护和电池监测电阻‌：根据过压阈值和电池监测比例计算并选择合适的电阻值。
• ‌布局建议‌：关键信号线应尽量短，以减少寄生电感和电容的影响；瞬态抑制组件应靠近LM7480放置。

7. 文档与支持

• 提供详细的数据手册，包括规格、应用信息、布局指南等。
• 可通过TI的E2E™支持论坛获取设计帮助和快速验证答案。