LM74502-Q1 汽车反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60 μA数据手册

LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是一款符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器，可与外部背靠背连接的 N 沟道 MOSFET 配合使用，作为低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2 V 至 65 V 的宽电源输入范围允许控制许多常用的直流总线电压，例如 12 V、24 V 和 48 V 汽车电池系统。3.2 V 输入电压支持特别适合汽车系统中的严苛冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于负载的输入反极性保护，这些负载可能会将能量输送回输入电源，例如汽车车身控制模块电机负载。
*附件：lm74502-q1.pdf

LM74502-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。LM74502-Q1 的高额定电压有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。当使能引脚为低电平时，控制器关闭并消耗大约 1 μA 的电流，因此在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 提供可编程的过压和欠压保护，在发生这些故障时切断输入源的负载。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• –65V 输入反向电压额定值
• 用于驱动的集成电荷泵
  • 外部背靠背 N 沟道 MOSFET
  • 外部高边开关 MOSFET
  • 外部反极性保护 MOSFET
• 栅极驱动型号
  • LM74502-Q1：60μA 峰值栅极驱动源容量
  • LM74502H-Q1：11mA 峰值栅极驱动源容量
• 2A 峰值栅极吸收容量
• 1μA 关断电流（EN/UVLO = 低）
• 45μA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高）
• 可调的过压和欠压保护
• 通过额外的 TVS 二极管满足汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求
• 采用 8 引脚 SOT-23 封装，2.90 mm × 1.60 mm

参数

方框图

概述

LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 是针对汽车应用设计的低静态电流反向极性保护控制器，具备过压保护功能。这两款控制器适用于车身电子、照明、汽车信息娱乐系统（如数字仪表盘、主机单元）以及汽车USB集线器等应用。

主要特性

• ‌AEC-Q100认证‌：符合汽车级标准，适用于-40°C至+125°C的环境温度范围。
• ‌宽输入电压范围‌：支持3.2V至65V的输入电压，特别适用于汽车系统的冷启动要求。
• ‌反向电压保护‌：可承受高达-65V的反向输入电压，保护负载免受反向电压损害。
• ‌集成电荷泵‌：驱动外部背对背连接的N沟道MOSFET或高侧开关MOSFET。
• ‌可调过压和欠压保护‌：通过外部电阻分压器设置过压和欠压保护阈值。
• ‌低静态电流‌：关机模式下静态电流仅为1µA，降低系统功耗。
• ‌多种封装选项‌：提供8引脚SOT-23封装，尺寸为2.90mm × 1.60mm。

引脚配置与功能

• ‌EN/UVLO‌：使能/欠压锁定输入，控制设备的工作模式和关机模式。
• ‌GND‌：系统地。
• ‌NC‌：无连接。
• ‌VCAP‌：电荷泵输出，连接外部电荷泵电容。
• ‌VS‌：输入电源引脚，连接至控制器的供电电源。
• ‌GATE‌：门极驱动输出，连接至外部MOSFET的门极。
• ‌OV‌：可调过压阈值输入，连接至外部电阻分压器。
• ‌SRC‌：源极引脚，连接至外部MOSFET的源极或高侧开关MOSFET的源极。

电气特性

• ‌供电电压范围‌：3.2V至65V。
• ‌静态电流‌：工作模式下典型值为45µA，关机模式下为1µA。
• ‌电荷泵电流‌：充电时典型值为300µA，放电时典型值为5µA。
• ‌过压保护阈值‌：可调，范围为1.063V至1.333V。
• ‌欠压锁定阈值‌：可调，通过外部电阻分压器设置。

功能描述

• ‌反向极性保护‌：通过驱动外部背对背连接的N沟道MOSFET实现反向极性保护。
• ‌过压保护‌：监测输入电压，当超过设定的过压阈值时，关闭门极驱动，保护负载。
• ‌欠压锁定‌：当输入电压低于设定的欠压阈值时，设备进入关机模式。
• ‌电荷泵‌：为外部MOSFET提供所需的门极驱动电压。
• ‌多种工作模式‌：包括工作模式和关机模式，通过EN/UVLO引脚控制。

应用与实现

• ‌典型应用电路‌：展示了如何配置LM74502-Q1以驱动外部MOSFET实现反向极性保护和过压保护。
• ‌设计考虑‌：包括MOSFET的选型、电荷泵电容的选择、以及过压保护电阻分压器的配置。
• ‌布局指导‌：提供了布局建议，以确保最佳性能和可靠性。

封装与订购信息

• ‌封装类型‌：8引脚SOT-23封装。
• ‌订购信息‌：提供LM74502-Q1和LM74502H-Q1两种型号，具有不同的门极驱动能力，满足不同应用需求。

文档与支持

• ‌相关文档‌：包括数据手册、应用笔记和用户指南。
• ‌社区支持‌：通过TI E2E支持论坛获取设计帮助和解答。

注意事项

• 在使用LM74502-Q1和LM74502H-Q1时，应确保输入电压不超过最大额定电压，以避免损坏设备。
• 在选择外部MOSFET时，应考虑其最大漏源电压、漏极电流和导通电阻等参数，以满足应用需求。