LM74501-Q1 与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用,作为低损耗反极性保护解决方案。该器件支持 3.2V 至 65V 的宽电源输入范围。3.2V 输入电压支持特别适合汽车系统中严格的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –18 V 的负电源电压的影响。LM74501-Q1 没有反向电流阻断功能,适用于负载的输入反极性保护,这些负载可能会将能量输送回输入电源,例如汽车车身控制模块电机负载。
*附件:lm74501-q1.pdf
LM74501-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。LM74501-Q1 具有独特的集成功能,使系统能够满足汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求,而无需额外的 TVS 二极管(TVS 更少)。LM74501-Q1 具有一个集成开关,可通过外部电阻分压器实现电池电压监控。当使能引脚为低电平时,控制器处于关闭状态,仅消耗约 1 μA 的电流,因此在进入休眠模式时可提供较低的系统电流。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类 2 级
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- –18V 反向电压额定值
- 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
- 栅极放电定时器:满足汽车 ISO7637-2 脉冲 1 瞬态要求,无需额外的 TVS 二极管(TVS 较小)
- 1μA 关断电流(EN = 低)
- 80μA 典型工作静态电流(EN = 高)
- 20V VDS 箝位(EN = 低)
- 集成电池电压监控开关 (SW)
- 8 引脚 SOT-23 封装 2.90 mm × 1.60 mm
参数

方框图

1. 概述
LM74501-Q1是一款针对汽车应用的反向电池保护控制器,通过外部N沟道MOSFET实现低损耗的反向极性保护。该设备符合AEC-Q100标准,适用于汽车车身电子、信息娱乐系统、ADAS域控制器等应用。
2. 主要特性
- 宽输入电压范围:3.2V至65V(启动电压3.9V)
- 高反向电压额定值:-18V
- 集成电荷泵:为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动电压
- 门极放电定时器:满足汽车ISO7637-2脉冲1瞬态要求,无需额外TVS二极管
- 低静态电流:1μA(关断模式),80μA(典型工作模式)
- 小型封装:8引脚SOT-23,2.90mm × 1.60mm
3. 应用
- 汽车车身电子:如车身控制模块(BCM)、雨刮器模块
- 汽车信息娱乐系统:如数字驾驶舱处理单元
- ADAS域控制器
4. 功能描述
- 输入电压(SOURCE) :用于为LM74501-Q1供电,支持宽范围输入电压。
- 电荷泵(VCAP) :为外部N沟道MOSFET提供必要的栅极驱动电压,通过外部电容充电。
- 使能(EN) :允许通过外部信号启用或禁用LM74501-Q1,EN引脚可承受高达±65V的电压。
- 门极驱动(GATE) :控制外部N沟道MOSFET的栅极电压,实现低损耗的反向极性保护。
- 电池电压监测(SW) :通过SW引脚和外部电阻分压器实现电池电压监测。
- 门极放电定时器:在ISO7637-2脉冲1事件期间,通过外部电容保持MOSFET导通一段时间,实现TVS-less操作。
5. 设备功能模式
- 关断模式:当EN引脚电压低于指定阈值时,LM74501-Q1进入关断模式,电荷泵和门极驱动器均被禁用。
- 全导通模式:当满足特定条件时,LM74501-Q1进入全导通模式,外部MOSFET完全导通。
- VDS钳位模式:当DRAIN和SOURCE之间的电压差超过VDS钳位阈值时,LM74501-Q1自动将外部MOSFET导通,以防止电压过高。
6. 典型应用电路
- 提供了针对12V电池保护的典型应用电路,展示了如何使用LM74501-Q1与外部N沟道MOSFET实现反向极性保护。
- 详细说明了电路中的元件选择和参数计算,包括MOSFET的选择、门极放电定时器电容(CT)的选择等。
7. 布局指南
- 建议将SOURCE、GATE和DRAIN引脚与MOSFET的相应引脚紧密连接。
- 使用厚铜迹线以减少源极和漏极的电阻损耗。
- 将输入电容放置在SOURCE引脚附近,以减小长地环路的影响。
- 将电荷泵电容(VCAP)远离MOSFET放置,以降低热效应对电容值的影响。
8. 文档支持
- 提供了数据手册、应用指南和相关应用笔记的支持链接。
- 用户可以订阅文档更新通知,以获取最新产品信息。
通过以上总结,用户可以全面了解LM74501-Q1的主要特性、应用、功能描述、设备功能模式、典型应用电路、布局指南以及文档支持。