LM74502 具有负载断开和 OVP 的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器数据手册

LM74502 LM74502H 是一款控制器，可与外部背靠背连接的 N 沟道 MOSFET 配合使用，以实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。该器件还可以配置为驱动高压侧 MOSFET，作为具有过压保护功能的负载开关。3.2 V 至 65 V 的宽电源输入范围允许控制许多常用的直流总线电压，例如 12 V、24 V 和 48 V 输入系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。LM74502 LM74502H 没有反向电流阻塞功能，仅适用于输入反极性保护。
*附件：lm74502.pdf

LM74502控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚为低电平时，控制器关闭并消耗大约 1 μA 的电流，因此在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 提供可编程的过压和欠压保护，在发生这些故障事件时切断输入源的负载。这些器件采用 2.9 mm × 1.6 mm 8 引脚 DDF 封装，额定温度范围为 –40°C 至 +125°C。

特性

• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• –65V 输入反向电压额定值
• 用于驱动的集成电荷泵
  • 外部背靠背 N 沟道 MOSFET
  • 外部高边开关 MOSFET
  • 外部反极性保护 MOSFET
• 栅极驱动型号
  • LM74502：60μA 峰值栅极驱动源容量
  • LM74502H：11mA 峰值栅极驱动源容量
• 2.3A 峰值栅极灌电流容量
• 使能引脚功能
• 45μA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高）
• 1μA 关断电流（EN/UVLO = 低）
• 可调的过压和欠压保护
• -40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
• 采用 8 引脚 SOT-23 封装，2.90 mm × 1.60 mm

参数

方框图

概述

LM74502是一款低IQ高侧开关控制器，具有反向极性和过压保护功能。它设计用于与外部背对背连接的N沟道MOSFET一起工作，实现低损耗的反向极性保护和负载断开解决方案。该设备还可以配置为驱动高侧MOSFET，用作具有过压保护的负载开关。

主要特性

• ‌宽输入电压范围‌：3.2V至65V（启动电压为3.9V）
• ‌高反向电压承受能力‌：输入反向电压额定值为-65V
• ‌集成电荷泵‌：用于驱动外部N沟道MOSFET
• ‌两种门驱动变体‌：
  • LM74502：60μA峰值门驱动源容量
  • LM74502H：11mA峰值门驱动源容量
• ‌可编程过压和欠压保护‌
• ‌低系统电流‌：启用时典型工作静态电流为45μA，禁用时关断电流为1μA
• ‌工作温度范围‌：-40°C至+125°C
• ‌小型封装‌：8引脚SOT-23封装，尺寸为2.90mm × 1.60mm

应用

• ‌工厂自动化和控制‌：如PLC数字输出模块
• ‌工业电机驱动‌
• ‌工业运输‌
• ‌电源反向极性保护‌

功能描述

• ‌反向极性保护‌：设备可以承受并保护负载免受负电源电压的影响，最大可达-65V。
• ‌过压和欠压保护‌：通过OV引脚实现可编程过压保护，当OV引脚电压超过过压阈值时，门驱动被关断。
• ‌电荷泵‌：为外部N沟道MOSFET提供必要的驱动电压，典型值为13V。
• ‌门驱动‌：控制外部N沟道MOSFET，LM74502和LM74502H分别提供不同的门驱动强度，适用于不同的应用场景。

设备功能模式

• ‌关断模式‌：当EN/UVLO引脚电压低于指定输入低阈值时，设备进入关断模式，门驱动和电荷泵均被禁用。
• ‌传导模式‌：当满足门驱动启用条件时，设备进入传导模式，完全增强外部MOSFET。

典型应用

• ‌反向极性保护与负载断开‌：LM74502与外部背对背连接的N沟道MOSFET一起使用，实现反向极性保护和负载断开。
• ‌高侧开关驱动‌：LM74502H可用于驱动高侧MOSFET，实现具有过压保护功能的负载开关。

布局指南

• 输入电容应尽可能靠近VS引脚放置，以减小寄生电感。
• 连接LM74502的门驱动和源引脚到MOSFET的门和源引脚，使用短走线。
• 使用厚走线以最小化MOSFET源极和漏极的电阻性损耗。

文档支持

• 提供了接收文档更新通知、支持资源、静电放电警告等信息。
• 提供了详细的机械、包装和可订购信息。

通过上述总结，用户可以全面了解LM74502的主要特性、应用、功能描述、设备功能模式、典型应用以及布局指南。