LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽车级理想二极管控制器，背靠背驱动 NFET数据手册

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 （DGATE） 驱动第一个 MOSFET，以取代肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中具有第二个 MOSFET，允许使用 HGATE 控制进行负载断开（ON/OFF 控制）和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能。LM7480-Q1 有两个变体，LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 采用使用线性稳压和比较器方案的反向电流阻断，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，中点可用于使用另一个理想二极管的 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源拓扑中配置器件的外部 MOSFET，可以保护负载免受扩展过压瞬变的影响，例如 24V 电池系统中的 200V 非抑制负载突降。
*附件：lm7480-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3V 至 65V 输入范围
• 低至 –65 V 的反向输入保护
• 在共漏极和共源极配置中驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向压降调节 （LM74800-Q1） 的理想二极管作
• 低反向检测阈值 （–4.5 mV），具有快速响应 （0.5 μs）
• 20mA 峰值栅极 （DGATE） 导通电流
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 可调过压保护
• 2.87μA 的低关断电流 （EN/UVLO=Low）
• 通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：LM7480-Q1 理想二极管控制器
• ‌应用领域‌：
  • 汽车电池保护，如ADAS域控制器、摄像头ECU、头单元、USB HUB等
  • 冗余电源的有源ORing
• ‌特点‌：
  • AEC-Q100认证，适用于汽车应用
  • 输入电压范围宽（3V至65V）
  • 反向输入保护（低至-65V）
  • 驱动外部背对背N沟道MOSFET，模拟理想二极管
  • 可调过压保护
  • 低关机电流（2.87μA）
  • 符合汽车ISO7637瞬态要求

2. 功能特点

• ‌理想二极管操作‌：
  • 前向电压降调节至10.5mV（LM74800-Q1）
  • 低反向检测阈值（-4.5mV），快速响应（0.5μs）
• ‌过压保护‌：
  • 可调过压切断保护
  • 通过外部电阻设置过压阈值
• ‌电源路径控制‌：
  • 通过HGATE控制实现负载断开和过压保护
  • 支持常见漏极和常见源极配置
• ‌热关断和能量限制‌：
  • 保护开关免受过度应力
  • 自动禁用开关以防止损坏

3. 技术规格

• ‌工作温度范围‌：-40°C至+125°C
• ‌静电放电（ESD）等级‌：
  • HBM：±2000V
  • CDM：±750V（角引脚），±500V（其他引脚）
• ‌电气特性‌：
  • 总系统静态电流：397μA（典型值）
  • 反向极性期间泄漏电流：1μA
  • 使能阈值电压：0.3V至0.93V
  • 过压阈值输入电压：1.195V至1.267V（上升），1.091V至1.159V（下降）

4. 应用与实现

• ‌典型应用‌：
  • 12V反向电池保护
  • 200V无抑制负载转储保护
• ‌设计考虑‌：
  • MOSFET选型：基于最大连续漏极电流、漏源电压、栅源电压等参数
  • TVS二极管选型：用于输入瞬态钳位和保护
  • 电容选型：包括输入电容、输出电容、电荷泵电容等
• ‌布局指导‌：
  • 推荐将关键引脚（如A、DGATE、C、HGATE、OUT等）靠近相应的MOSFET引脚放置
  • 使用短而粗的走线以减少电阻损耗

5. 文档与支持

• ‌相关文档‌：提供了应用报告、设计指南等链接
• ‌支持资源‌：TI E2E™支持论坛，提供快速验证的答案和设计帮助

6. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：12引脚WSON包装
• ‌订购信息‌：包括状态、材料类型、封装、引脚数、载带、RoHS合规性、引脚镀层/球材料、MSL等级、峰值回流温度和工作温度范围等详细信息

7. 注意事项

• ‌静电放电（ESD）警告‌：处理集成电路时应采取适当的预防措施
• ‌安全信息‌：用户应负责选择合适的产品，并验证和测试其设计实施，以确保系统功能性

这份文件详细描述了LM7480-Q1理想二极管控制器的功能特点、技术规格、应用与实现、文档与支持、封装与订购信息以及注意事项，为用户提供了全面的产品信息和设计指导。