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WNM2030英文规格书
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2025-05-14
jf_81891763
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这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽式双扩散金属氧化物半导体（DMOS）技术。这种先进技术经过专门优化，可将导通电阻降至最低，实现卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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