TPS7H2201-SP 抗辐射、QMLV 和 QMLP 1.5V 至 7V 输入 6A 电子保险丝数据手册

描述

TPS7H2201 是一款单通道 eFuse,可提供可配置的上升时间,以最大限度地减少浪涌电流和反向电流保护。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.5V 至 7V 的输入电压范围内工作,并支持最大 6A 的连续电流。该开关由开和关输入 (EN) 控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。

TPS7H2201 采用陶瓷和塑料封装,带有集成导热垫,可实现高功率耗散。该器件的额定工作温度范围为 –55°C 至 125°C 的自由空气温度。
*附件:tps7h2201-sp.pdf

特性

  • 提供标准微电路,SMD 5962R17220
  • 提供供应商项目图纸,VID V62/23608
  • 辐射性能:
    • 抗辐射保证 (RHA) 高达 TID 100krad(Si)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子倦怠 (SEB) 和单粒子门破裂 (SEGR) 不受 LET = 75MeV-cm2/mg 的影响
    • SEFI/SET 的特征是 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 集成单通道 eFuse
  • 输入电压范围:1.5V 至 7V
  • 低导通电阻 (RON) :
    • 25°C 和 VIN = 5V(CFP 和 KGD)时最大值为 35mΩ
    • 25°C 和 VIN = 5V 时(对于 HTSSOP),最大值为 23mΩ
  • 最大连续开关电流为 6A
  • 低控制输入阈值允许使用 1.2、1.8、2.5 和 3.3V 逻辑
  • 可配置的上升时间(软启动)
  • 反向电流保护
  • 可编程和内部电流限制(快速跳闸)
  • 可编程故障定时器(电流限制和重试模式)
  • 热关断
  • 陶瓷和塑料封装,带导热垫

参数
电流保护

方框图
电流保护

1. 产品概述

TPS7H2201-SP是一款单通道辐射硬化eFuse,适用于1.5V至7V的输入电压范围,最大连续开关电流为6A。该设备集成了单通道eFuse,提供可编程的上升时间以最小化浪涌电流,并具有反向电流保护功能。TPS7H2201-SP采用陶瓷和塑料封装,具有集成热垫,允许高功率耗散。

2. 主要特性

  • 辐射硬化‌:保证辐射总剂量(TID)高达100krad(Si),并具备单事件闩锁(SEL)、单事件烧毁(SEB)和单事件栅极击穿防护。
  • 宽输入电压范围‌:支持1.5V至7V的输入电压。
  • 低导通电阻‌:在25°C和VIN=5V条件下,CFP和KGD封装的最大导通电阻为35mΩ,HTSSOP封装为23mΩ。
  • 可编程上升时间‌:通过外部电容器设置,以最小化浪涌电流。
  • 反向电流保护‌:内置背对背FET,防止VIN到VOUT和VOUT到VIN的反向电流。
  • 多种控制输入‌:支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑控制。

3. 应用领域

  • 航天应用‌:由于其辐射硬化特性,适用于空间环境中的电源分配系统。
  • 冗余电源设计‌:在需要电源冗余的系统中提供保护,如卫星应用中的主电源和备用电源。
  • 关键负载保护‌:对单事件敏感负载提供快速响应和自动恢复功能。

4. 功能描述

  • 使能、欠压和过压保护‌:通过外部电阻分压器设置欠压锁定(UVLO)和过压保护(OVP)阈值。
  • 可编程电流限制‌:使用外部电阻设置电流限制值,以保护电路免受过流损害。
  • 可编程故障定时器‌:通过外部电容器设置电流限制故障时间和重试时间。
  • 软启动‌:通过外部电容器控制输出电压的上升时间,以减小浪涌电流。
  • 电流感应‌:提供与输出电流成正比的电流感应输出,用于负载监测。

5. 封装与温度范围

  • 封装选项‌:包括16引脚CDFP和32引脚HTSSOP封装。
  • 温度范围‌:工作温度范围为-55°C至125°C。

6. 典型应用电路

  • 冗余电源设计‌:在卫星应用中,将TPS7H2201-SP放置在点负载调节器的输入端,以实现主电源和备用电源之间的冗余。
  • 关键负载保护‌:在单事件敏感负载前放置TPS7H2201-SP,以提供快速响应和自动恢复功能。

7. 设计考虑

  • 热管理‌:在高功率应用中,需注意设备的热管理,以确保长期可靠性。
  • 布局与布线‌:遵循数据手册中的布局和布线指南,以优化性能和减少噪声。
  • 电容选择‌:根据应用需求选择合适的输入和输出电容,以满足软启动和电压稳定性要求。

8. 文档与支持

  • 数据手册‌:提供详细的电气特性、功能描述、应用信息和设计指南。
  • 评估板‌:提供TPS7H2201EVM-CVAL评估板,用于验证设备性能和设计。
  • 社区资源‌:TI E2E支持论坛提供技术支持和用户交流。

9. 注意事项

  • 静电放电(ESD)保护‌:在处理集成电路时,应遵循适当的ESD预防措施。
  • 辐射测试‌:对于辐射硬化版本,需遵循相关的辐射测试标准和程序。
  • 热关断恢复‌:在热关断后,设备需要一段时间冷却后才能恢复正常工作,设计时需考虑这一点。
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