TPS2662 具有集成输入和输出反极性保护的 4.5V 至 60V、478mΩ、0.025-0.88A 电子保险丝数据手册

TPS2662x 系列是紧凑、功能丰富的高压电子保险丝，具有一整套保护功能。4.5 V 至 60 V 的宽电源输入范围允许控制许多常用的直流总线电压。该器件可以承受并保护负载免受高达 ±60 V 的正负电源电压的影响。TPS26624 和 TPS26625 器件支持输入和输出反极性保护功能。集成的背靠背 FET 提供反向电流阻断功能，使该器件适用于在电源故障和掉电情况下具有输出电压保持要求的系统。负载、源和器件保护具有许多可调功能，包括过流、输出转换速率和过压、欠压阈值。TPS2662x 系列的内部稳健保护控制块以及高额定电压有助于简化浪涌保护的系统设计。
*附件：tps2662.pdf

TPS26620、TPS26622 和 TPS26624 具有闭锁和TPS26621功能，TPS26623 和 TPS26625 具有自动重试功能，即过热和过流故障事件。

这些器件采用 3 mm × 3 mm 10 引脚 SON 封装，额定温度范围为 –40°C 至 +125°C。

特性

• 4.5V 至 60V 工作电压，绝对最大值 62V
• 集成反向输入极性保护，电压高达 –60 V
• 集成反向输出极性保护至 – （60 V 在 ）（仅限 TPS26624 和 TPS26625）
• 集成背靠背 MOSFET，总 RON 为 478mΩ
• 25mA 至 880mA 可调电流限制（880mA 时精度为 ±5%）
• 浪涌期间的负载保护 （IEC 61000-4-5），使用最少的外部元件
• 符合 IEC 61000-4-4 的电气快速瞬变抗扰度
• 快速反向电流阻断响应 （0.3 μs）
• 可调 UVLO、OVP 截止、输出转换速率控制，用于浪涌电流限制
• 固定 38V 过压钳位（仅限 TPS26622 和 TPS26623）
• 低静态电流，工作时为 340 μA，关断时为 12 μA
• 占地面积小 – 10L （3 mm × 3 mm） VSON
• UL 2367 认证
  • 文件编号 169910
  • R 伊利姆 ≥ 7.5 kΩ（最大 0.91 A）
• IEC 62368-1 认证

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：TPS2662x
• ‌类型‌：60V, 800mA工业电子保险丝（eFuse）
• ‌特点‌：集成输入和输出反向极性保护，适用于PLC I/O模块、AC和伺服驱动器、传感器和控制、恒温器、PoE高侧保护等应用。

2. 主要特性

• ‌工作电压范围‌：4.5V至60V，绝对最大值为62V
• ‌反向输入极性保护‌：至-60V
• ‌反向输出极性保护‌（TPS26624和TPS26625）：至-(60-VIN)
• ‌集成背靠背MOSFET‌：总RON为478mΩ
• ‌可调电流限制‌：25mA至880mA，±5%精度（在880mA时）
• ‌快速反向电流阻断响应‌：0.3μs
• ‌可编程UVLO、OVP切断、输出斜率控制‌：用于限制涌入电流
• ‌固定38V过压钳位‌（TPS26622和TPS26623）
• ‌低静态电流‌：操作时为340μA，关断时为12μA
• ‌小封装‌：10引脚VSON（3mm×3mm）
• ‌认证‌：UL 2367认证，IEC 62368-1认证

3. 功能描述

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：当UVLO引脚电压低于设定阈值时，内部FET快速关闭，并断言FLT信号。
• ‌ 过压保护（OVP） ‌：TPS26620/1/4/5具有可调过压切断功能，TPS26622/3具有固定38V过压钳位功能。
• ‌热插拔与涌入电流控制‌：通过dVdT引脚连接的外部电容设置输出电压的斜率。
• ‌反向极性保护‌：包括输入侧和输出侧反向极性保护，防止负电压损坏负载或设备。
• ‌过载和短路保护‌：通过监测负载电流并提供可编程的电流限制和快速断开功能。
• ‌自动重试/锁定关闭‌：根据型号不同，在过温或过流故障后，设备可以自动重试或锁定关闭。

4. 应用信息

• ‌典型应用‌：PLC I/O模块电源保护、AC和伺服驱动器电源保护、传感器电源保护等。
• ‌设计步骤‌：包括选择电流限制电阻、设置UVLO和OVP阈值、设置输出电压斜率等。
• ‌系统示例‌：提供了PLC/DCS I/O模块现场供电保护、简单24V电源路径保护、智能恒温器电源窃取等应用示例。

5. 电源供应建议

• ‌输入电压范围‌：4.5V至60V
• ‌旁路电容‌：推荐在输入端使用0.1μF至1μF的陶瓷旁路电容。
• ‌瞬态保护‌：建议使用肖特基二极管或TVS钳位来抑制瞬态电压。

6. 布局指南

• ‌旁路电容放置‌：应尽可能靠近IN引脚和GND引脚。
• ‌高电流路径‌：应尽可能短，并使用足够的线宽以承载负载电流。
• ‌RTN引脚‌：应连接到铜平面或岛屿，作为设备的参考地。
• ‌保护组件‌：如TVS、肖特基二极管等，应尽可能靠近受保护引脚。