TPS22915 具有输出放电的 5.5V、2A、39mΩ 负载开关数据手册

TPS22914/15 是一个小而低的 R 上 ，具有受控转换速率的单通道负载开关。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，并支持 2 A 的最大连续电流。该开关由开和关输入控制，该输入能够直接与低压控制信号连接。
*附件：tps22915.pdf

体积小，R 低上使该器件非常适合用于空间受限的电池供电应用。该开关的宽输入电压范围使其成为适用于许多不同电压轨的多功能解决方案。该器件的受控上升时间大大降低了由大大容量负载电容引起的浪涌电流，从而减少或消除了电源下降。该TPS22915通过集成一个 143 Ω 下拉电阻器，在开关关闭时实现快速输出放电 （QOD），进一步减小了解决方案的总尺寸。

TPS22914/15 采用小型、节省空间的 0.78 mm x 0.78 mm、0.4 mm 间距、0.5 mm 高的 4 引脚晶圆芯片级 （WCSP） 封装 （YFP）。该器件的额定工作温度范围为 –40°C 至 +105°C 的自由空气温度。

特性

• 集成单通道负载开关
• 输入电压范围：1.05 V 至 5.5 V
• 低导通电阻 （R 上 )
  • R上V 时 = 37 mΩ（典型值） 在 = 5 伏
  • R上V 时 = 38 mΩ（典型值） 在 = 3.3 伏
  • R上V 时 = 43 mΩ（典型值） 在 = 1.8 伏
• 2A 最大连续开关电流
• 低静态电流
  • V 时为 7.7 μA（典型值） 在 = 3.3 伏
• 低控制输入阈值允许使用 1 V 或更高的 GPIO
• 受控转换速率
  • t R （TPS22914B/15B） = 64 μs（V 时） 在 = 3.3 伏
  • t R （TPS22914C/15C） = 913 μs（V 时） 在 = 3.3 伏
• 快速输出放电（仅限 TPS22915）
• 超小型晶圆芯片级封装
  • 0.78mm × 0.78mm，0.4mm 间距，0.5mm 高 （YFP）
• ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
  • 2 kV HBM 和 1 kV CDM

参数

方框图

1. 产品概述

TPS22915是一款5.5V、2A、37mΩ（典型值）导通电阻的单通道负载开关，适用于空间受限、电池供电的应用。它集成了N沟道MOSFET，具有可控的上升时间，减少了由大容量负载电容引起的涌入电流，从而降低了或消除了电源压降。

2. 主要特性

• ‌低导通电阻‌：在VIN=5V时，导通电阻为37mΩ（典型值）。
• ‌大电流能力‌：最大连续开关电流为2A。
• ‌低静态电流‌：在VIN=3.3V时，静态电流为7.7μA（典型值）。
• ‌可控上升时间‌：减少涌入电流，避免电源压降。
• ‌快速输出放电‌：集成143Ω下拉电阻，实现快速输出放电。
• ‌超小封装‌：0.78mm x 0.78mm，0.4mm间距，0.5mm高度的WCSP封装。
• ‌宽输入电压范围‌：1.05V至5.5V。

3. 应用领域

• ‌智能手机‌
• ‌平板电脑‌
• ‌超薄笔记本‌
• ‌可穿戴设备‌
• ‌固态硬盘‌
• ‌数码相机‌

4. 功能描述

4.1 负载开关控制

• 通过ON引脚控制负载开关的开启和关闭。ON引脚兼容低电压控制信号，可直接与GPIO接口。

4.2 输入电容

• 建议在VIN和GND之间放置一个1μF的陶瓷电容，以限制开关开启时由于涌入电流引起的输入电压降。

4.3 输出电容

• 由于MOSFET内置体二极管的存在，推荐CIN大于CL，以避免在系统供电移除时VOUT超过VIN。

4.4 快速输出放电

• TPS22915集成了143Ω下拉电阻，当开关关闭时，可实现快速输出放电。

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：WCSP（晶圆级芯片规模封装）
• ‌尺寸‌：0.78mm x 0.78mm，0.4mm间距，0.5mm高度

6. 典型应用电路

• 提供了典型应用电路图，展示了如何将TPS22915用于为下游模块供电。

7. 设计指南

• ‌输入电容选择‌：推荐在VIN和GND之间放置1μF的陶瓷电容，以减少涌入电流引起的电压降。
• ‌布局建议‌：VIN和VOUT走线应尽可能短且宽，以容纳高电流。输入和输出电容应尽可能靠近TPS22915的引脚。

8. 文档与支持

• 提供了相关的技术文档、工具、软件支持和社区资源链接。

TPS22915以其低导通电阻、大电流能力、可控上升时间和超小封装，成为空间受限、电池供电应用的理想选择。