TPS22969 具有输出放电的 5.5V、6A、4.4mΩ 负载开关数据手册

描述

TPS22969 是一个小的、超低的 R 、单通道负载 开关与受控打开。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 0.8 V 至 5.5 V,可支持 6 A 的最大连续电流。

超低 R 的组合以及 该器件非常适合驱动具有非常严格的压降容差的处理器轨。 该器件的受控上升时间大大降低了大批量负载引起的浪涌电流 电容,从而减少或消除电源上的电压下降。开关可以是 通过 ON 引脚独立控制,该引脚能够直接与低压连接 来自微控制器或低压分立逻辑的控制信号。该设备进一步 通过集成一个 224 Ω 下拉电阻器以实现快速输出,减小了整体解决方案的尺寸 开关关闭时的放电 (QOD)。
*附件:tps22969.pdf

TPS22969采用小型 3.00 mm x 3.00 mm SON-8 封装 (DNY)。The DNY 封装集成了一个导热垫,可在大电流和高电流下实现高功率耗散 温度应用。该设备的特点是在自然通风温度下运行 温度范围为 –40°C 至 105°C。

特性

  • 集成单通道负载开关
  • VBIAS 电压范围:2.5 V 至 5.5 V
  • VIN 电压范围:0.8 V 至 5.5 V
  • 超低 R电阻
    • RV 时 = 4.4 mΩ = 1.05 伏 (V 偏见 = 5 V)
  • 6 A 最大连续开关电流
  • 低静态电流
    • (20 μA(典型值),对于 V 偏见 = 5 V)
  • 低关断电流
    • (1 μA (典型值) for V 偏见 = 5 V)
  • 低控制输入阈值允许使用 1.2 V 或更高的 GPIO
  • V宽的受控和固定转换速率偏见和 V
    • tRV 时 = 599 μs = 1.05 伏 (V 偏见 = 5 V)
  • 快速输出放电 (QOD)
  • 带导热垫的 SON 8 引脚封装
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2kV 人体模型 (HBM)
    • 1kV 充电器件模型 (CDM)

参数
浪涌电流

方框图
浪涌电流

1. 产品概述

TPS22969是一款小型、超低导通电阻(R_ON)的单通道负载开关,适用于驱动具有严格电压跌落容限的高电流核心轨,如处理器电源。该器件集成了一个N沟道MOSFET,支持高达6A的最大连续开关电流。

2. 主要特性

  • 超低导通电阻‌:R_ON = 4.4mΩ(在V_IN = 1.05V,V_BIAS = 5V时)
  • 高电流能力‌:最大连续开关电流为6A
  • 低静态电流‌:20µA(典型值,在V_BIAS = 5V时)
  • 低关断电流‌:1µA(典型值,在V_BIAS = 5V时)
  • 低控制输入阈值‌:支持1.2V或更高的GPIO逻辑电平
  • 可控和固定斜率‌:减少大容性负载引起的电源压降
  • 快速输出放电‌:集成224Ω下拉电阻,实现快速输出放电
  • 小型封装‌:3.00mm x 3.00mm的SON-8封装,带热焊盘

3. 应用领域

  • 超极本/笔记本电脑
  • 台式电脑
  • 工业电脑
  • 服务器
  • 机顶盒
  • 电信系统
  • 平板电脑

4. 功能描述

  • 可控开启‌:通过ON引脚控制开关状态,ON引脚兼容低电压控制信号。
  • 固定斜率‌:V_OUT的上升时间固定,有助于减少或消除由于大容性负载引起的电源压降。
  • 低泄漏电流‌:在关断状态下,具有很低的泄漏电流,减少下游模块的待机功耗。
  • 集成功能‌:包含控制逻辑、驱动器、电荷泵和输出放电FET,无需外部组件。

5. 电气特性

  • 工作电压范围‌:V_IN = 0.8V至5.5V,V_BIAS = 2.5V至5.5V
  • R_ON变化‌:随V_IN和V_BIAS的变化而变化,具体值请参考数据表。
  • 静态电流‌:I_Q,VBIAS在-40°C至105°C的温度范围内,典型值为9.9µA至12.7µA。
  • 关断电流‌:I_SD,VBIAS和I_SD,VIN在-40°C至105°C的温度范围内,均低于1.6µA。

6. 热特性

  • 热阻‌:R_θJA = 44.6°C/W
  • 最大结温‌:T_J(max) = 125°C

7. 封装与尺寸

  • 封装类型‌:SON-8,带热焊盘
  • 尺寸‌:3.00mm x 3.00mm x 0.8mm(最大高度)

8. 布局指南

  • 输入和输出电容‌:建议在VIN和GND、VOUT和GND之间分别放置低ESR陶瓷旁路电容。
  • 热焊盘‌:必须将热焊盘焊接到电路板上,以实现最佳的热性能和机械性能。
  • 走线‌:VIN和VOUT走线应尽可能短且宽,以适应高电流。

9. 应用曲线与典型应用

  • 提供了多种应用曲线,包括R_ON与V_IN、V_BIAS的关系,以及不同条件下的开关特性。
  • 典型应用示例展示了如何使用TPS22969为具有大容性负载的下游模块供电。
打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分