TPS22969 是一个小的、超低的 R 上 、单通道负载 开关与受控打开。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 0.8 V 至 5.5 V,可支持 6 A 的最大连续电流。
超低 R 的组合上以及 该器件非常适合驱动具有非常严格的压降容差的处理器轨。 该器件的受控上升时间大大降低了大批量负载引起的浪涌电流 电容,从而减少或消除电源上的电压下降。开关可以是 通过 ON 引脚独立控制,该引脚能够直接与低压连接 来自微控制器或低压分立逻辑的控制信号。该设备进一步 通过集成一个 224 Ω 下拉电阻器以实现快速输出,减小了整体解决方案的尺寸 开关关闭时的放电 (QOD)。
*附件:tps22969.pdf
TPS22969采用小型 3.00 mm x 3.00 mm SON-8 封装 (DNY)。The DNY 封装集成了一个导热垫,可在大电流和高电流下实现高功率耗散 温度应用。该设备的特点是在自然通风温度下运行 温度范围为 –40°C 至 105°C。
特性
- 集成单通道负载开关
- VBIAS 电压范围:2.5 V 至 5.5 V
- VIN 电压范围:0.8 V 至 5.5 V
- 超低 R
上电阻 - R
上V 时 = 4.4 mΩ 在 = 1.05 伏 (V 偏见 = 5 V)
- 6 A 最大连续开关电流
- 低静态电流
- (20 μA(典型值),对于 V
偏见 = 5 V)
- 低关断电流
- (1 μA (典型值) for V
偏见 = 5 V)
- 低控制输入阈值允许使用 1.2 V 或更高的 GPIO
- V宽的受控和固定转换速率
偏见和 V在- t
RV 时 = 599 μs 在 = 1.05 伏 (V 偏见 = 5 V)
- 快速输出放电 (QOD)
- 带导热垫的 SON 8 引脚封装
- ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2kV 人体模型 (HBM)
- 1kV 充电器件模型 (CDM)
参数

方框图

1. 产品概述
TPS22969是一款小型、超低导通电阻(R_ON)的单通道负载开关,适用于驱动具有严格电压跌落容限的高电流核心轨,如处理器电源。该器件集成了一个N沟道MOSFET,支持高达6A的最大连续开关电流。
2. 主要特性
- 超低导通电阻:R_ON = 4.4mΩ(在V_IN = 1.05V,V_BIAS = 5V时)
- 高电流能力:最大连续开关电流为6A
- 低静态电流:20µA(典型值,在V_BIAS = 5V时)
- 低关断电流:1µA(典型值,在V_BIAS = 5V时)
- 低控制输入阈值:支持1.2V或更高的GPIO逻辑电平
- 可控和固定斜率:减少大容性负载引起的电源压降
- 快速输出放电:集成224Ω下拉电阻,实现快速输出放电
- 小型封装:3.00mm x 3.00mm的SON-8封装,带热焊盘
3. 应用领域
- 超极本/笔记本电脑
- 台式电脑
- 工业电脑
- 服务器
- 机顶盒
- 电信系统
- 平板电脑
4. 功能描述
- 可控开启:通过ON引脚控制开关状态,ON引脚兼容低电压控制信号。
- 固定斜率:V_OUT的上升时间固定,有助于减少或消除由于大容性负载引起的电源压降。
- 低泄漏电流:在关断状态下,具有很低的泄漏电流,减少下游模块的待机功耗。
- 集成功能:包含控制逻辑、驱动器、电荷泵和输出放电FET,无需外部组件。
5. 电气特性
- 工作电压范围:V_IN = 0.8V至5.5V,V_BIAS = 2.5V至5.5V
- R_ON变化:随V_IN和V_BIAS的变化而变化,具体值请参考数据表。
- 静态电流:I_Q,VBIAS在-40°C至105°C的温度范围内,典型值为9.9µA至12.7µA。
- 关断电流:I_SD,VBIAS和I_SD,VIN在-40°C至105°C的温度范围内,均低于1.6µA。
6. 热特性
- 热阻:R_θJA = 44.6°C/W
- 最大结温:T_J(max) = 125°C
7. 封装与尺寸
- 封装类型:SON-8,带热焊盘
- 尺寸:3.00mm x 3.00mm x 0.8mm(最大高度)
8. 布局指南
- 输入和输出电容:建议在VIN和GND、VOUT和GND之间分别放置低ESR陶瓷旁路电容。
- 热焊盘:必须将热焊盘焊接到电路板上,以实现最佳的热性能和机械性能。
- 走线:VIN和VOUT走线应尽可能短且宽,以适应高电流。
9. 应用曲线与典型应用
- 提供了多种应用曲线,包括R_ON与V_IN、V_BIAS的关系,以及不同条件下的开关特性。
- 典型应用示例展示了如何使用TPS22969为具有大容性负载的下游模块供电。