TPS22968x 是一款小型、超低 R 上 ,双通道负载开关,带受控导通。该器件包含两个 N 沟道 MOSFET,可在 0.8 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持每个通道4 A 的最大连续电流。每个开关都由一个开和关输入(ON1 和 ON2)独立控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。TPS22968 中,增加了一个 270 Ω 的片上负载电阻器,用于在开关关闭时进行输出快速放电。
*附件:tps22968.pdf
TPS22968x 采用小型、节省空间的封装 (DPU),并带有集成导热垫,可实现高功率耗散。该器件的特性是在 –40°C 至 +105°C 的空气温度范围内工作。
特性
- 集成双通道负载开关
- 输入电压范围:0.8 V 至 5.5 V
- VBIAS 电压范围:2.5 V 至 5.5 V
- 超低 R
上电阻 - R
上V 时 = 27 mΩ 在 = 5 V (V 偏见 = 5 V) - R
上V 时 = 25 mΩ 在 = 3.3 伏 (V 偏见 = 5 V) - R
上V 时 = 25 mΩ 在 = 1.8 伏 (V 偏见 = 5 V)
- 每个通道的最大连续开关电流为 4A
- 低静态电流
- V 时为 55 μA
偏见 = 5 V(两个通道) - V 时为 55 μA
偏见 = 5 V(单通道)
- 低控制输入阈值允许使用
1.2、1.8、2.5、3.3V 逻辑 - 可配置的上升时间^(1)^
- 快速输出放电 (QOD) ^(2)^ (可选)
- SON 14 引脚封装,带导热垫
- ESD 性能测试符合 JEDEC 标准
- 闩锁性能超过 100 mA,符合 JESD 78 II 类标准
- GPIO 启用 – 高电平有效
- TPS22968N:仅限产品预览^(1)^ ^(2)^
参数

方框图

1. 产品概述
TPS22968x是一款双通道超低导通电阻负载开关,专为需要独立控制两个电源轨的应用设计。它集成了两个N沟道MOSFET,每个通道可支持高达4A的连续电流,并具有超低导通电阻(R_ON = 27mΩ @ V_IN = 5V, V_BIAS = 5V)。该器件适用于多种便携式和固定式应用,如Ultrabook™、笔记本电脑、平板电脑和消费电子设备。
2. 主要特性
- 双通道设计:每个通道独立控制,支持高达4A的连续电流。
- 超低导通电阻:R_ON = 27mΩ @ V_IN = 5V, V_BIAS = 5V;R_ON = 25mΩ @ V_IN = 3.3V, V_BIAS = 5V。
- 低静态电流:I_Q = 55μA(双通道);I_Q = 55μA(单通道)。
- 快速输出放电(QOD) (可选):通过集成270Ω电阻实现快速输出放电,防止输出悬浮。
- 可配置上升时间:通过CT引脚连接电容,控制输出电压的上升时间。
- 宽输入电压范围:0.8V至5.5V。
- 小封装:14引脚WSON封装,尺寸为3.00mm x 2.00mm。
3. 应用领域
- Ultrabook™
- 笔记本电脑和平板电脑
- 消费电子设备
- 机顶盒
- 电信系统
4. 功能描述
4.1 ON和OFF控制
- ON1和ON2引脚分别控制两个通道的开启和关闭,兼容1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑电平。
4.2 输入和输出电容
- 推荐在VIN和GND之间放置一个1μF的陶瓷电容,以减少开启时的涌入电流。
- 输出电容的选择应考虑到系统的具体需求,通常建议C_IN > C_L。
4.3 快速输出放电(QOD)
- TPS22968集成了QOD功能,当开关关闭时,通过270Ω电阻将输出快速放电至GND。
4.4 可配置上升时间
- 通过在CT引脚连接一个电容,可以设置输出电压的上升时间,从而减少开启时的涌入电流。
4.5 VIN和V_BIAS电压范围
- 为获得最佳R_ON性能,建议V_IN ≤ V_BIAS。当V_IN > V_BIAS时,器件仍然工作,但R_ON会增加。
5. 封装与尺寸
- 封装类型:14引脚WSON封装(DPU)
- 尺寸:3.00mm x 2.00mm
6. 典型应用电路
- 提供了典型应用电路图,展示了如何将TPS22968x用于为下游模块供电,并详细说明了设计要求和设计步骤。
7. 设计指南
- 输入和输出电容:根据应用需求选择合适的电容值,以减少电压降和涌入电流。
- 布局建议:所有关键走线应尽可能短且宽,以减少寄生电感和电阻。输入和输出电容应尽可能靠近TPS22968x的引脚。
- 热考虑:确保最大结温不超过125°C,通过适当的热设计和布局来实现。
8. 文档与支持
- 提供了相关的技术文档、设计资源、应用笔记、社区支持和工具链接,以帮助用户更好地设计和应用TPS22968x。