TPS22964C 具有输出放电的 5.5V、3A、14mΩ 负载开关数据手册

描述

TPS22963/64 是一款小型、超低的 R负载开关 受控打开。该设备包含低 RDSON 系列N 沟道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,开关电流高达 3 A。一 集成电荷泵偏置 NMOS 开关,以实现低开关导通电阻。这 开关由 ON/OFF 输入 (ON) 控制,该输入 (ON) 能够直接与 低压 GPIO 控制信号。TPS22963/64 器件的上升时间由内部控制 以避免浪涌电流。
*附件:tps22964c.pdf

TPS22963/64 提供反向电流保护。当电源开关被禁用时, 该设备不允许电流流向开关的输入侧。相反 电流保护功能仅在设备被禁用时激活,以便允许 某些应用的有意反向电流(当开关启用时)。

TPS22963/64 采用小型、节省空间的 6 引脚 WCSP 封装,并且 额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C 的自由空气温度。

特性

  • 集成 N 沟道负载开关
  • 输入电压范围:1 V 至 5.5 V
  • 内部 Pass-FET R DSON 系列 = 8 mΩ(典型值)
  • 超低导通电阻
    • RV 时 = 13 mΩ(典型值) = 5 伏
    • RV 时 = 14 mΩ(典型值) = 3.3 伏
    • RV 时 = 18 mΩ(典型值) = 1.8 伏
  • 3A 最大连续开关电流
  • 反向电流保护(禁用时)
  • 低关断电流 (760 nA)
  • 低阈值 1.3V GPIO 控制输入
  • 受控转换速率以避免浪涌电流
  • 快速输出放电(仅限 TPS22964)
  • 六端子晶圆芯片级封装(所示标称尺寸 - 有关详细信息,请参阅附录)
    • 0.9 mm x 1.4 mm,0.5 mm 间距,0.5 mm 高 (YZP)
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2 kV 人体模型(A114-B,II 类)
    • 500V 充电器件模型 (C101)

参数
NMOS

1. 产品概述

TPS22964C是一款超低压导通电阻(R ON)负载开关,集成了N通道MOSFET,专为便携式消费类设备设计,如智能手机、平板电脑等。该器件支持高达3A的开关电流,并具有反向电流保护和受控开启特性。

2. 主要特性

  • 超低R ON‌:在V IN=5V时,典型R ON为13mΩ;在V IN=3.3V时为14mΩ;在V IN=1.8V时为18mΩ。
  • 反向电流保护‌:当开关禁用时,防止电流从输出流向输入。
  • 受控上升时间‌:避免开启时的浪涌电流。
  • 低关断电流‌:典型值为760nA。
  • 低阈值GPIO控制输入‌:兼容1.2V至5.5V的GPIO信号。
  • 快速输出放电‌:当开关禁用时,通过273Ω电阻将输出放电至地,防止输出悬浮。
  • 小型封装‌:采用6引脚WCSP封装,尺寸为0.9mm x 1.4mm,高度为0.5mm。

3. 功能描述

  • 开关控制‌:通过ON引脚控制开关状态,高电平使能开关。
  • 快速输出放电‌:特有功能,通过内部电阻快速将输出放电至地,避免输出悬浮。
  • 反向电流保护‌:当开关禁用且V IN或V OUT大于1V时,有效防止反向电流。

4. 应用领域

  • 智能手机
  • 笔记本电脑和超极本
  • 平板电脑
  • 固态硬盘(SSD)
  • 数字电视/IP机顶盒
  • POS终端和媒体网关

5. 电气特性

  • 绝对最大额定值‌:
    • 输入电压范围:-0.3V至6V
    • 输出电压范围:-0.3V至6V
    • ON引脚电压范围:-0.3V至6V
    • 最大连续开关电流:3A
  • 推荐操作条件‌:
    • 输入电压范围:1V至5.5V
    • 输出电压范围:0V至5.5V
  • 热特性‌:
    • 最大结温:125°C
    • 热阻(RθJA):132°C/W

6. 封装与尺寸

  • 封装类型‌:DSBGA(6引脚)
  • 尺寸‌:1.40mm x 0.90mm,引脚间距0.5mm,高度0.5mm

7. 应用信息

  • 输入电容‌:建议在VIN和GND引脚之间放置一个1µF的陶瓷电容,以减少开关开启时的输入电压降。
  • 输出电容‌:建议在VOUT和GND引脚之间放置一个0.1µF的陶瓷电容,以滤除输入电压源的电压毛刺。
  • 待机电源管理‌:通过关闭处于待机状态的模块电源,显著减少泄漏电流,延长电池寿命。
  • 反向电流保护‌:在开关禁用时,有效防止反向电流,适用于需要防止电流倒灌的应用场景。

8. 布局指南

  • 所有迹线应尽可能短,以减少寄生电感。
  • 输入和输出电容应靠近器件放置,以最小化其对正常操作的影响。
  • 使用宽迹线连接VIN、VOUT和GND,以降低寄生电阻和电感。

9. 设计资源

  • 提供详细的应用说明、典型应用电路图以及布局示例。
  • TI E2E在线社区提供技术支持和社区资源,方便用户获取更多帮助和信息。

通过上述总结,可以全面了解TPS22964C的主要特性、功能、应用领域、电气特性、封装尺寸、应用信息、布局指南以及设计资源。

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