TPS22913 具有输出放电的 5.5V、2A、60mΩ 负载开关数据手册

描述

TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 小,低 r负荷 具有受控打开功能的开关。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 1.4 V 至 5.5 V。开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入 能够直接与低压 GPIO 控制信号连接。
*附件:tps22913.pdf

TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 器件提供反向电流保护 ON 和 OFF 状态。内部反向电压比较器在输出 电压 (V ) 被驱动得高于输入电压 (V ), 由 V RCP ,以快速(典型值为 10 μs)停止液流 流向开关输入侧的电流。反向电流保护始终有效,甚至 当电源开关被禁用时。此外,欠压锁定 (UVLO) 保护将 如果输入电压过低,则关闭。

TPS22913B/C 包含一个 150 Ω 片上负载电阻器,用于在 开关已关闭。

该系列器件具有各种转换速率选项,以避免浪涌电流(请参阅 有关详细信息),则为 采用超小型、节省空间的 4 引脚 WCSP 封装,并具有工作特性 在 –40°C 至 85°C 的自由空气温度范围内。

特性

  • 集成单负载开关
  • 四引脚晶圆芯片级封装 (Nom)
    • 0.9mm × 0.9mm,0.5mm 间距,0.5mm 高 (YZV)
  • 输入电压范围:1.4 V 至 5.5 V
  • 低导通电阻
    • rVIN = 5 V 时 = 60 mΩ
    • rVIN = 3.3 V 时 = 61 mΩ
    • rVIN = 1.8 V 时 = 74 mΩ
    • rVIN = 1.5 V 时 = 84 mΩ
  • 2A 最大连续开关电流
  • 低阈值控制输入
  • 受控转换速率
  • 欠压锁定
  • 全时反向电流保护
  • 快速输出放电晶体管 (TPS22913B/C 器件)

参数
MOSFET

概述

TPS22913是一款超低导通电阻负载开关,适用于需要控制上电顺序和限制浪涌电流的应用。它采用4引脚WCSP封装,集成单通道P沟道MOSFET,并提供受控的上升时间选项,以减少启动时的浪涌电流。

主要特性

  • 超低导通电阻‌:在VIN=5V时,导通电阻典型值为61mΩ。
  • 受控上升时间‌:提供多种上升时间选项(如TPS22913B为66µs),有助于限制浪涌电流。
  • 全时反向电流保护‌:当VOUT高于VIN时,快速(10µs内)禁用开关,防止反向电流。
  • 低电压锁定(UVLO)保护‌:输入电压低于阈值时自动关闭开关。
  • 小型封装‌:0.9mm x 0.9mm WCSP封装,节省空间。

应用领域

  • 笔记本电脑和平板电脑
  • 数字相机和便携式媒体播放器
  • 便携式工业和医疗设备
  • GPS导航设备和销售点终端

引脚功能

  • VIN‌:开关输入,需连接旁路电容到地。
  • VOUT‌:开关输出。
  • GND‌:接地。
  • ON‌:开关控制输入,兼容低电压GPIO信号。

工作原理

  • 开关控制‌:ON引脚控制开关的导通和关断,兼容多种GPIO电压范围(1.2V至5.5V)。
  • 浪涌电流限制‌:通过受控的上升时间限制启动时的浪涌电流,减少对电源的冲击。
  • 反向电流保护‌:监测VIN和VOUT电压,当VOUT高于VIN时快速禁用开关,防止反向电流损坏电路。
  • UVLO保护‌:当输入电压低于阈值时,自动关闭开关,保护下游电路免受低电压影响。

电气特性

  • 最大连续开关电流‌:2A
  • 导通电阻(典型值) ‌:
    • VIN=5V时,61mΩ
    • VIN=3.3V时,61mΩ
    • VIN=1.8V时,74mΩ
    • VIN=1.5V时,84mΩ
  • 反向电流阈值‌:VRCP=44mV(TPS22913B/C)
  • UVLO阈值‌:随输入电压变化,具体值详见数据手册。

典型应用

  • 电源管理‌:在需要精确控制电源上电顺序和限制浪涌电流的应用中作为负载开关。
  • 电池保护‌:在电池供电的设备中,防止反向电流对电池造成损害。

布局与热设计

  • 输入/输出电容‌:建议在VIN引脚旁放置1µF的陶瓷电容,以限制启动时的电压降。
  • 热设计‌:确保最大结温不超过125°C,通过适当的散热设计实现。

注意事项

  • 在使用过程中,应避免超过TPS22913的绝对最大额定值,以防止设备损坏。
  • ON引脚不能悬空,必须驱动为高电平或低电平以确保开关正常工作。
  • 在选择应用电路时,需考虑负载电流、输入电压范围以及所需的上升时间等因素。
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