TPS22924B 3.6V、2A、18.3mΩ 负载开关，输出放电和 3.6V 时上升时间为 100μs数据手册

TPS22924x 是一款小型低 R上带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.75 V 的输入电压范围内工作 至 3.6 V。集成电荷泵对 NMOS 开关进行偏置，以实现最小开关导通 电阻。该开关由开/关输入 （ON） 控制，该输入能够连接 直接使用低压控制信号。
*附件：tps22924b.pdf

添加了一个 1250 Ω 片上负载电阻器，用于在开关 关闭。该器件的上升时间由内部控制，以避免浪涌电流。这 TPS22924B 在 V 时的上升时间为 100 μs 在 = 3.6 V，而 TPS22924C 在 V 时上升时间为 800 μs 在 = 3.6 V。

TPS22924x 采用超小型、节省空间的 6 引脚 CSP 封装，并且 其特点是在 –40ºC 至 85ºC 的自由空气温度范围内运行。

特性

• 集成单负载开关
• 输入电压：0.75 V 至 3.6 V
• 导通电阻
  • R上V 时 = 18.3 mΩ 在 = 3.6 伏
  • R上V 时 = 19.6 mΩ 在 = 1.8 伏
  • R上V 时 = 19.4 mΩ 在 = 1.2 伏
  • R上V 时 = 22.7 mΩ 在 = 0.75 伏
• 小型 CSP-6 封装
  0.9mm × 1.4mm、0.5mm 间距
• 2 A 最大连续开关电流
• 低关断电流
• 低阈值控制输入
• 受控转换速率以避免浪涌电流
• 快速输出放电晶体管
• ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
  • 5000V 人体模型
    （A114-B，II 类）
  • 1000V 充电器件模型 （C101）

参数

方框图

1. 概述

TPS22924B/TPS22924C 是一款小型、低导通电阻（RON）的负载开关，专为需要限制浪涌电流的应用设计。它采用集成的 N 沟道 MOSFET，并配备控制逻辑、驱动器和输出放电 FET，以简化设计并减少外部元件数量。

2. 主要特性

• ‌输入电压范围‌：0.75V 至 3.6V
• ‌最大连续开关电流‌：2A
• ‌低导通电阻‌：RON 最低可达 18.3mΩ（VIN = 3.6V 时）
• ‌控制输入‌：低阈值控制输入，兼容低电压信号
• ‌快速输出放电‌：内置快速输出放电晶体管
• ‌上升时间控制‌：内部控制上升时间，避免浪涌电流
• ‌封装‌：CSP-6 封装，尺寸紧凑

3. 应用领域

• 电池供电设备
• 便携式工业设备
• 便携式医疗设备
• 便携式媒体播放器
• 销售点终端
• GPS 设备
• 数码相机
• 笔记本/平板电脑/电子书阅读器
• 智能手机

4. 功能描述

• ‌开关控制‌：通过 ON 引脚控制开关状态，ON 为高电平有效。
• ‌输出电容‌：推荐输入电容 CIN 大于输出电容 CL，以避免 VOUT 超过 VIN。
• ‌输出下拉‌：在关闭主通道 FET 时，输出下拉电阻将输出轨放电至大约 10% 的轨电压。

5. 电气特性

• ‌导通电阻‌：RON 随输入电压变化，例如在 VIN = 3.6V 时，RON 为 18.3mΩ；在 VIN = 0.75V 时，RON 为 34.8mΩ。
• ‌静态电流‌：在不同输入电压下，静态电流在微安级别。
• ‌开关时间‌：TPS22924B 的典型开启时间为 96µs（VIN = 3.6V），TPS22924C 的典型开启时间为 800µs（VIN = 3.6V）。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：CSP-6
• ‌尺寸‌：0.9mm × 1.4mm，引脚间距 0.5mm
• ‌温度范围‌：-40°C 至 85°C

7. 应用信息

• ‌输入电容‌：建议在 VIN 和 GND 之间放置一个 1µF 的陶瓷电容，以减少开关接通时的输入电压下降。
• ‌输出电容‌：推荐 CIN/CL 比值为 10:1，以最小化启动时的输入电压下降。

8. 布局指南

• 所有迹线应尽可能短，以减少寄生电感。
• 输入和输出电容应靠近 TPS22924B/TPS22924C 放置。
• 使用宽迹线以最小化电阻和电感。

9. 订购信息

提供多种封装和温度选项，包括带有背面涂层的版本，以提高抗裂性。

‌总结‌：TPS22924B/TPS22924C 是一款适用于便携式电子设备的高性能负载开关，具有低导通电阻、快速输出放电和上升时间控制等特性，能够简化设计并减少外部元件数量。其紧凑的封装和宽输入电压范围使其适用于多种应用场景。