TPS22932B 具有输出放电功能的 3.6V、0.5A、55mΩ、80nA 泄漏负载开关数据手册

TPS22932B设备是一个低r上带受控负载开关 打开。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.1 的输入电压范围内工作 V 至 3.6 V。

该开关由 8 个 3 位输入模式控制。用户可以选择逻辑 功能 MUX、AND、OR、NAND、NOR、逆变器和非逆变器。所有输入都可以连接到 V在或 GND 的 S 。控制引脚可以连接到低压 GPIO，从而允许 开关由 1.2V、1.8V、2.5V 或 3.3V 逻辑信号控制，同时保持 极低的静态电流。
*附件：tps22932b.pdf

Ω当开关 关闭。该器件的上升时间（转换速率）在内部进行控制，以避免浪涌 电流：TPS22932B 的上升时间为 165 μs。

TPS22932B 采用节省空间的 6 引脚 DSBGA（间距为 0.4mm 的 YFP）封装。设备 的额定温度范围为 –40°C 至 85°C 的自由空气温度。

特性

• 输入电压：1.1 V 至 3.6 V
• 超低导通电阻
  • r上V 时 = 55 mΩ 在 = 3.6 伏
  • r上V 时 = 65 mΩ 在 = 2.5 伏
  • r上V 时 = 75 mΩ 在 = 1.8 伏
  • r上V 时 = 115 mΩ 在 = 1.2 伏
• 500mA 最大连续开关电流
• 静态电流 < 1 μA
• 关断电流 < 1 μA
• 低控制阈值允许使用 1.2V、1.8V、
  2.5V 和 3.3V 逻辑
• 可配置的使能逻辑
• 可避免浪涌电流的受控转换速率：
  1.8 V 时为 165 μs
• 六端子晶圆芯片尺寸封装 （DSBGA）
• ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
  • 2000V 人体模型
    （A114-B，II 类）
  • 1000V 充电器件模型 （C101）
• 应用
  • PDA
  • 手机
  • GPS 设备
  • MP3 播放器
  • 数码相机
  • 外设端口
  • 便携式仪器仪表

参数

方框图

概述

TPS22932B是一款低输入电压、超低RON负载开关，具有可配置的使能逻辑和受控的上升时间（或称为“斜率”）。该器件适用于多种便携式设备，如PDA、手机、GPS设备等，提供精确且低功耗的电流控制。

主要特性

• ‌低输入电压范围‌：支持1.1V至3.6V的输入电压。
• ‌超低RON‌：在不同输入电压下的RON值分别为55mΩ（VIN = 3.6V）、65mΩ（VIN = 2.5V）、75mΩ（VIN = 1.8V）和115mΩ（VIN = 1.2V）。
• ‌最大连续开关电流‌：500mA。
• ‌可配置的使能逻辑‌：通过3位输入（ON1、ON2、ON3）提供8种逻辑功能，包括MUX、AND、OR、NAND、NOR、反相器和非反相器。
• ‌受控上升时间‌：避免浪涌电流，上升时间典型值为165μs（VIN = 1.8V）。
• ‌快速输出放电‌：内置120Ω负载电阻，可在开关关闭时快速将输出放电至地。
• ‌低控制阈值‌：兼容1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑信号。
• ‌小封装‌：采用6引脚DSBGA封装，尺寸为0.8mm x 1.2mm。

应用场景

• ‌PDA‌
• ‌手机‌
• ‌GPS设备‌
• ‌MP3播放器‌
• ‌数码相机‌
• ‌便携式仪器‌

功能描述

• ‌开关控制‌：通过ON1、ON2、ON3三个引脚实现8种不同的逻辑功能，允许用户根据需求选择适当的控制模式。
• ‌快速输出放电‌：当开关关闭时，内置的120Ω负载电阻可快速将输出放电至地，防止输出浮动。
• ‌低静态电流‌：在关断状态下，静态电流小于1μA，有助于延长电池寿命。

电气特性

• ‌输入电压范围‌：1.1V至3.6V。
• ‌ RON（典型值） ‌：随输入电压变化，最低可达55mΩ（VIN = 3.6V）。
• ‌ 上升时间（典型值） ‌：165μs（VIN = 1.8V）。
• ‌关断时间‌：根据负载和电容值不同，关断时间在数十微秒至数百微秒之间。

封装与尺寸

• ‌封装类型‌：6引脚DSBGA封装（YFP，0.4mm间距）。
• ‌尺寸‌：0.8mm x 1.2mm x 0.4mm（最大高度）。

设计指南

• ‌输入电容‌：建议在VIN和GND之间添加一个1μF的陶瓷电容，以限制开关导通时的瞬态涌入电流。
• ‌输出电容‌：由于PMOS开关内部存在体二极管，建议输入电容CIN大于输出电容CL，以避免VOUT在系统供电移除时超过VIN。
• ‌布局建议‌：所有走线应尽可能短，输入和输出电容应靠近TPS22932B放置，以减小寄生电感对电路性能的影响。