TPS22960 是一款具有受控导通功能的小型低 rON 双通道负载开关。这些器件包含两个 P 沟道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的输入电压范围内工作。每个开关都由开/关输入(ON1 和 ON2)独立控制,这些输入能够直接与低压控制信号连接。TPS22960 中增加了一个 85Ω 片上负载电阻器,以便在开关关闭时进行快速放电。
*附件:tps22960.pdf
该器件的上升时间(转换速率)在内部进行控制,以避免浪涌电流,如果需要,可以使用 SR 引脚来减慢它:在 3.3V 时,TPS22960 SR 引脚接地时具有 75μs 的上升时间,SR 引脚接地时具有 660μs 的上升时间。
TPS22960 采用节省空间的 8 引脚 UQFN 封装和 8 引脚 SOT 封装。其特点是在 –40°C 至 85°C 的自由空气温度范围内运行。
特性
- 集成双负载开关
- 输入电压范围:1.62V 至 5.5V
- 低导通电阻
- VIN = 5.5V 时 rON = 342mΩ
- VIN = 3.3V 时 rON = 435mΩ
- VIN = 2.5V 时 rON = 523mΩ
- VIN = 1.8V 时 rON = 737mΩ
- 500mA 最大连续开关电流
- 低静态电流和关断电流
- 受控开关输出上升时间:75μs 或 660μs
- 集成快速输出放电晶体管
- ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2000V 人体模型 (A114-B, Class II)
- 1000V 充电器件型号 (C101)
- 8 引脚 SOT (DCN) 封装:3mm × 3mm
- 8 引脚 UQFN (RSE) 封装:1.5mm × 1.5mm
参数

方框图

产品概述
TPS 是一款低输入电压、双通道负载开关,具有控制开启功能。它集成了两个 P-通道 MOSFET,可在 .V 至 .V 的输入电压范围内工作。每个开关通道独立控制,适用于 GPS 设备、手机、MP 播放器、数码相机等应用。
. 主要特性
- 双通道负载开关:每个通道独立控制,具有低导通电阻(rON)。
- 宽输入电压范围:.V 至 .V。
- 低导通电阻:例如,在 VIN = .V 时,rON 典型值为 mΩ。
- 低静态电流和关断电流:有助于降低系统功耗。
- 控制输出上升时间:通过 SR 引脚可选择 μs 或 μs 的上升时间,避免浪涌电流。
- 快速输出放电:内置 Ω 放电电阻,快速将输出放电至地。
- 紧凑封装:提供 -pin SOT (DCN) 和 -pin UQFN (RSE) 两种封装选项,尺寸分别为 .mm × .mm 和 .mm × .mm。
- 高 ESD 性能:符合 JESD 标准,HBM V,CDM V。
. 应用领域
. 功能描述
- 独立控制:每个开关通道通过 ON 和 ON 引脚独立控制,支持低电压信号接口。
- 输出上升时间控制:通过 SR 引脚选择不同的上升时间(μs 或 μs),以适应不同的负载需求。
- 快速输出放电:当开关关闭时,内置的 Ω 电阻将输出快速放电至地,防止输出悬浮。
. 电气特性
- 导通电阻(rON) :在不同 VIN 下,rON 的典型值分别为 mΩ(VIN = .V)、mΩ(VIN = .V)、mΩ(VIN = .V)和 mΩ(VIN = .V)。
- 静态电流:每个开关通道在 VIN = .V 时,典型值为 .μA。
- 关断电流:每个开关通道在 VIN = .V 时,典型值为 .μA。
. 封装与订购信息
TPS 提供 SOT (DCN) 和 UQFN (RSE) 两种封装选项,具体封装尺寸、引脚配置和订购信息可参考数据手册的封装选项附录部分。
. 应用指南
- 输入电容:建议在 VIN 引脚旁放置一个 μF 的陶瓷电容,以限制电压下降或电压瞬变。
- 输出电容:在需要防止反向电流的情况下,建议 CL 大于 CIN。
- 布局建议:输入和输出电容应尽可能靠近器件放置,以减少寄生效应。使用宽迹线以降低寄生电阻和电感。
. 注意事项与免责声明
- 数据手册中的信息基于 TI 的知识和信念提供,并可能包含来自第三方的信息。
- TI 不对信息的准确性做出任何保证,并且不对因使用这些信息而导致的任何损失承担责任。
- 用户在使用 TPS 时,应自行负责选择合适的 TI 产品、设计验证和测试应用,并确保应用符合相关标准和要求。