TPS2300 和 TPS2301 是使用外部 N 通道的双通道热插拔控制器 MOSFET 用作电源应用中的高侧开关。这些器件的特性,例如过电流 保护 (OCP)、浪涌电流控制、输出功率状态报告以及 区分负载瞬变和故障,是热插拔的关键要求 应用。
*附件:tps2301.pdf
TPS2300/01 器件具有欠压锁定 (UVLO) 和电源就绪功能 (PG) 报告,以确保设备在启动时处于关闭状态并确认输出电压的状态 运行期间的导轨。每个内部电荷泵能够驱动多个 MOSFET,提供 足够的栅极驱动电压来充分增强 N 沟道 MOSFET。电荷泵控制 MOSFET 的上升时间和下降时间 (dv/dt),减少上电/断电期间的功率瞬变。 断路器功能将感应过流情况的能力与定时器相结合 功能;这允许 DSP 等设计在电源状态期间可能具有高峰值电流 transitions,以忽略可编程周期的 transients。
特性
- 双通道高侧 MOSFET 驱动器
- IN1:3 V 至 13 V;IN2:3 V 至 5.5 V
- 输出 dV/dt 控制限制浪涌电流
- 具有可编程过流
阈值和瞬态定时器的断路器 - 带瞬态滤波器的电源良好报告
- CMOS 和 TTL 兼容使能输入
- 5μA 低待机电源电流(最大值)
- 采用 20 引脚 TSSOP 封装
- 40°C 至 85°C 环境温度范围
- 静电放电保护
参数

一、产品概述
TPS1是一款双通道热插拔电源控制器,设计用于需要独立热插拔控制的电源管理应用。它集成了两个高侧MOSFET驱动通道,每个通道都具备过流保护、浪涌电流控制、电源良好报告等功能。
二、主要特性
- 双通道设计:支持两个独立的电源开关控制,适用于需要多路电源管理的应用。
- 宽输入电压范围:通道支持V至V输入,通道2支持3V至.V输入。
- 过流保护:每个通道都具备可编程的过流阈值和瞬态定时器,有效保护电源系统免受过流损害。
- 电源良好报告:提供两个独立的PWRGD信号,用于监控两个通道的输出电压状态。
- 低待机功耗:最大待机供电电流仅为5μA,有助于降低系统整体功耗。
- CMOS/TTL兼容使能输入:使能引脚兼容CMOS和TTL电平,便于与其他数字电路接口。
三、应用领域
- 热插拔电源管理:如服务器、存储设备、工业控制设备等需要热插拔功能的场景。
- 热插拔PCI设备:如扩展卡、网卡等需要可靠电源管理的PCI设备。
- 电子电路断路器:适用于需要自动断电保护的应用,如电源分配单元、电池管理系统等。
四、电气特性
- GATE输出电压:根据输入电压的不同,GATE输出电压可达9V至2V,足以驱动外部N沟道MOSFET。
- 过流保护阈值:通过外部电阻设置过流阈值,实现精确的过流保护。
- 电源良好阈值:VSENSE引脚电压低于约.3V时,相应的PWRGD信号变为低电平。
- FAULT输出:当任一通道检测到过流故障时,FAULT引脚输出低电平信号。
五、功能描述
- 内部电荷泵:每个通道都有独立的内部电荷泵,提供稳定的门极驱动电压,并控制MOSFET的开关速度。
- 电路断路器:结合过流检测和定时器功能,允许系统在可编程时间内忽略瞬态过流。
- 电源良好监控:通过VSENSE引脚监控输出电压,当电压低于设定阈值时,相应的PWRGD信号变为低电平。
- 使能控制:TPS的使能引脚为高电平有效(对于TPS则为低电平有效),通过控制使能引脚电平可以开启或关闭电源开关。
- 热插拔保护:在热插拔过程中,通过控制MOSFET的开关速度和过流保护,有效防止电源系统受到冲击。
六、封装与尺寸
- 封装类型:引脚TSSOP封装。
- 封装尺寸:具体尺寸请参考数据手册中的封装图纸。
七、应用信息
- 典型应用电路:数据手册中提供了详细的典型应用电路图,包括输入电容、输出电容、外部MOSFET等元件的选型和连接方式。
- 外部MOSFET选择:推荐选择具有低导通电阻和快速开关速度的N沟道MOSFET,以提高电源转换效率和响应速度。
- TIMER电容选择:为防止误触发,建议在TIMER引脚与地之间连接一个最小值为0pF的电容。
八、文档支持
- 数据手册提供了详细的引脚描述、电气特性、功能描述、应用信息和封装尺寸等关键信息。
- 相关的应用笔记和参考设计可帮助用户更好地理解和使用TPS1电源控制器。