TPS7H60x5 系列抗辐射保证 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005(200V 额定值)、TPS7H6015(60V 额定值)和 TPS7H6025(22V 额定值)。这些器件均采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装,提供 QMLP 和航天增强型塑料 (SEP) 等级。驱动器具有可调死区时间能力、30ns 的小传播延迟以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO,无论电源电压如何,它们都能确保 5V 的驱动电压。TPS7H60x5 驱动器均具有分离栅极输出,可灵活地独立调整输出的导通和关断强度。
*附件:tps7h6015-sep.pdf
TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入控制。在 PWM 模式下,单个输入产生两个互补输出信号,用户可以调整每个边沿的死区时间。
栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入互锁,作为防击穿保护。当两个输入同时打开时,输入互锁不允许两个输出打开。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护,这允许驱动器在许多不同的转换器配置中使用。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
特性
- 辐射性能:
- 抗辐射强度 (RHA) 高达 100krad(Si) 的总电离剂量 (TID)
- 单粒子瞬态 (SET)、单粒子倦怠 (SEB) 和单粒子栅极破裂 (SEGR) 不受线性能量转移 (LET) 的影响 = 75MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬态 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特性高达 LET = 75MeV-cm2/mg
- 1.3A 峰值拉电流,2.5A 峰值灌电流
- 两种作模式:
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 两个独立的输入
- 独立输入模式下的可选输入互锁保护
- 用于可调开启和关闭时间的分离输出
- 独立输入模式下 30ns 的典型传播延迟
- 5.5ns 典型延迟匹配
- 根据 ASTM E595 进行塑料包装脱气测试
- 适用于军用温度范围(–55°C 至 125°C)
参数

方框图

一、产品概述
- 产品系列:TPSHx系列
- 类型:辐射硬化保证(RHA)半桥GaN FET门驱动器
- 型号:TPSH(V额定值)
- 封装:引脚HTSSOP塑料封装,QMLP和SEP等级
- 应用:适用于空间卫星电源、电机驱动、通信有效载荷等高频、高效、高电流应用
二、主要特性
- 辐射性能:
- 总剂量电离辐射(TID)保证高达krad(Si)
- 对单事件瞬态(SET)、单事件烧毁(SEB)和单事件栅极击穿(SEGR)免疫
- SET和单事件功能中断(SEFI)特征高达MeV-cm²/mg的线性能量转移(LET)
- 驱动能力:
- .A峰值源电流,.A峰值沉电流
- 可调节死区时间
- ns典型传播延迟(独立输入模式)
- .ns典型高低侧延迟匹配
- 操作模式:
- 单PWM输入模式
- 独立输入模式(IIM),支持可选输入互锁保护
- 温度范围:军事温度范围(-°C至°C)
三、功能描述
- 内部线性稳压器:高侧和低侧均内置V线性稳压器,确保稳定的栅极驱动电压
- 分裂输出:高侧和低侧驱动输出分裂,可独立调整开通和关断时间
- 保护特性:
- 欠压锁定(UVLO)保护
- 输入互锁保护(IIM模式下可选)
- 短路钳位保护
- 过温保护
- 启动特性:支持内部自举开关和外部直接充电两种自举电容充电方式
四、电气特性
- 供电电压:VIN范围为V至V
- 输出特性:
- 高电平输出电压(VOH):.V至.V
- 低电平输出电压(VOL):.V至.V
- 峰值源电流(IOH):.A(典型值)
- 峰值沉电流(IOL):.A(典型值)
- 传播延迟:
- LO开通传播延迟(tLPLH):ns至ns
- LO关断传播延迟(tLPHL):ns至ns
- HO开通传播延迟(tHPLH):ns至ns
- HO关断传播延迟(tHPHL):ns至ns
五、应用与实现
- 典型应用:同步降压转换器、半桥和全桥拓扑等
- 设计要求:包括自举电容和旁路电容的选择、栅极电阻的调整、死区时间的设置等
- 布局指南:强调了PCB布局的重要性,以减少噪声耦合和降低环路电感
六、封装与尺寸
- 封装类型:HTSSOP(引脚)
- 尺寸:长度.mm,宽度.mm,高度(含热垫).mm
七、文档支持
- 提供了相关文档链接,包括评估模块用户指南、辐射报告等
- 提供了接收文档更新通知的方式