UCC44273 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。UCC44273 采用本质上可最大限度降低击穿电流的设计,能够将高峰值电流脉冲源出和吸收到容性负载中,从而提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟(通常为 13 ns)。
*附件:ucc44273.pdf
UCC44273 器件能够在输入引脚上处理 –5 V。UCC44273在 VDD = 12V 时提供 4A 拉电流和 4A 灌电流(对称驱动)峰值驱动电流能力。
UCC44273 设计用于在 4.5 V 至 18 V 的宽 VDD 范围和 –40°C 至 140°C 的宽温度范围下工作。 VDD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路将输出保持在 VDD 工作范围之外的低电平。
UCC44273 器件的输入引脚阈值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低压逻辑,该逻辑是固定的,独立于 VDD 电源电压。高阈值和低阈值之间的宽滞后提供了出色的抗噪性。
特性
参数
方框图
UCC3是一款单通道、高速、低侧门极驱动器,适用于驱动MOSFET和IGBT功率开关。该器件具有A的峰值源和沉电流能力,支持5V至8V的单电源范围,并在宽温度范围(-0°C至0°C)内工作。UCC3采用5引脚DBV(SOT-)封装,具有行业标准的引脚布局。
UCC3具有内部UVLO保护功能,当VDD电压低于UVLO阈值时,输出将被拉低。UVLO阈值通常为4.2V,具有0mV的迟滞,以防止电源电压噪声引起的抖动。
输入引脚采用TTL和CMOS兼容的低电压逻辑,具有固定的阈值电压和宽迟滞,以提高噪声免疫能力。当输入引脚浮空时,输出将被拉低。
UCC3的输出阶段能够提供4A的源和沉峰值电流,具有轨到轨驱动能力。输出级采用独特的上拉结构,结合N沟道和P沟道MOSFET,以在需要时提供高峰值源电流。
该器件具有业界领先的3ns(典型值)输入到输出传播延迟,确保在高频开关应用中具有最低的脉冲传输失真。
文档提供了UCC3的典型应用电路图,展示了在非反相和反相驱动器配置中的使用。同时,还讨论了设计要求,包括输入到输出逻辑、输入阈值类型、VDD偏置电压、峰值源和沉电流、传播延迟等。
推荐VDD偏置电压范围为4.5V至8V,但应注意保持电压纹波小于UVLO迟滞规格,以避免触发设备关断。同时,建议在VDD和GND引脚之间放置旁路电容器,以支持高峰值电流和减少噪声。
文档提供了PCB布局指南,强调了在设计高速开关电路时布局的重要性。建议将驱动器设备尽可能靠近功率器件,以最小化高电流迹线的长度,并使用低电感SMD组件,如芯片电阻器和芯片电容器。
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