UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效驱动 MOSFET 和 GaN 功率开关。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度为 9-A,可缩短电源开关的上升和下降时间,从而降低开关损耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的小传播延迟通过改善系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能,产生更好的功率级效率。
*附件:ucc27332-q1.pdf
UCC27332-Q1 的输入可以处理 –5V 电压,这提高了具有中等接地反弹的系统的稳健性。独立的使能信号允许独立于主控制逻辑控制功率级进行控制。如果系统出现故障(需要关闭动力总成),栅极驱动器可以快速关闭功率级。enable 功能还提高了系统的稳健性。许多高频开关电源在功率器件的栅极处表现出高频噪声,这些噪声可能会注入栅极驱动器的输出引脚,并可能导致驱动器发生故障。UCC27332-Q1 由于其瞬态反向电流和反向电压能力,在这种情况下表现良好。
如果 VDD 电压低于规定的上电复位阈值,则强大的内部下拉 MOSFET 将输出保持低电平。这种主动 Pulldown 功能进一步提高了系统的稳健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封装可实现最佳的栅极驱动器布局和改进布局。这种小型封装还可以实现最佳的栅极驱动器布局和改进的布局。
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 行业标准引脚布局
- 典型 9A 灌电流、9A 拉电流输出电流
- 输入引脚能够承受高达 –5 V 的电压
- 绝对最大 VDD 电压:20 V
- 4.5 V 至 18 V 的宽 VDD 工作范围
- 采用 3mm x 3mm MSOP8 封装
- 典型传播延迟为 25ns
- TTL 兼容输入阈值
- 工作结温范围为 –40°C 至 125°C
参数

方框图

. 产品概述
UCC-Q是一款单通道、高速、低侧门极驱动器,专为驱动MOSFET和GaN功率开关而设计。该器件具有A的源和沉电流能力,适用于汽车、电信、电力因数校正(PFC)电路、太阳能电源、电机驱动等多个领域。
. 主要特性
- 汽车级应用:符合AEC-Q标准,适用于-°C至+°C的工作温度范围。
- 高电流能力:典型峰值驱动电流为A源和A沉。
- 低传播延迟:典型传播延迟为ns。
- 输入电压范围:输入引脚可承受高达-V的电压,增强了对地弹跳的鲁棒性。
- 独立使能信号:具有独立的使能(EN)引脚,允许独立于主控制逻辑控制功率级。
- 宽VDD工作范围:支持.V至V的电源电压,绝对最大值为V。
- 封装选项:提供mm x mm的MSOP封装,优化门极驱动器的布局。
. 应用领域
- 汽车DC/DC转换器
- 汽车车载充电器(OBC)
- 电信开关模式电源
- PFC电路
- 太阳能电源
- 电机驱动
- 高频线路驱动器
- 脉冲变压器驱动器
- 高功率缓冲器
. 功能描述
. VDD电源上电复位(POR)
- 提供.V的电源上电复位阈值,具有.V的迟滞,避免电源电压噪声引起的抖动。
. 输入阶段
- 输入引脚兼容TTL逻辑,具有固定的阈值电压和宽迟滞(V),提高噪声免疫能力。
- 推荐使用短上升/下降时间的信号驱动输入引脚,以避免长迹线布局引起的问题。
. 使能功能
- EN引脚具有TTL兼容的输入阈值和宽迟滞,内部上拉至参考电压。
- 留下EN引脚浮动将启用驱动器,而驱动EN引脚低电平将禁用驱动器。
. 输出阶段
- 输出级采用P沟道MOSFET上拉结构,提供高峰值源电流,特别是在功率开关的米勒平台区域。
- 输出级还包含抗射通电路,以提高系统可靠性。
. 典型应用
文档提供了UCC-Q在驱动MOSFET应用中的典型电路图,并详细讨论了设计要求,包括输入到输出逻辑、输入阈值类型、VDD偏置电压、峰值源和沉电流、使能功能、传播延迟、功率耗散等。
. 电源推荐
- 推荐VDD偏置电压范围为.V至V,绝对最大值为V。
- 建议在VDD和GND引脚之间放置两个陶瓷电容器(≥µF和.µF),以支持高峰值电流和减少噪声。
. 布局指南
- 推荐将驱动器设备尽可能靠近功率器件,以最小化高电流迹线的长度。
- 使用低电感SMD组件,如芯片电容器,并尽可能缩短VDD旁路电容器的迹线长度。
- 优化电流环路的布局,以减少寄生电感和噪声耦合。
. 文档支持
文档提供了详细的规格表、特性曲线、应用信息和布局指南,以帮助用户正确选择和使用UCC-Q。此外,还提供了设备支持资源,包括TI EE支持论坛和相关文档更新通知。