LM2005系列 具有 8V UVLO 和集成自举二极管的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器数据手册

LM2005 是一款紧凑型高压栅极驱动器，旨在以同步降压或半桥配置驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。集成的自举二极管无需外部分立二极管，从而节省了电路板空间并降低了系统成本。
*附件：lm2005.pdf

SH 引脚上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬态负电压处理提高了高噪声应用中的系统稳健性。小型热增强型 8 引脚 WSON 封装允许将驱动器放置在更靠近电机相位的位置，从而改善了 PCB 布局。LM2005 还采用与行业标准引脚布局兼容的 8 引脚 SOIC 封装。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定 （UVLO），用于在上电和断电期间提供保护。

特性

• 在半桥配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• 集成自举二极管
• GVDD 上的典型欠压锁定为 8V
• BST 上的最大电压为 107V
• SH 上的最大绝对负瞬态电压处理电压为 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
• 115ns 典型传播延迟

参数

方框图

一、产品概述

LM5是一款高电压半桥驱动器，设计用于驱动两个N沟道MOSFET，适用于同步降压或半桥配置。该驱动器集成了自举二极管，具有8V的欠压锁定（UVLO）保护功能，并支持高达7V的BST电压和-9.5V的SH引脚瞬态负电压处理。

二、主要特性

• ‌双N沟道MOSFET驱动‌：适用于同步降压转换器或半桥配置。
• ‌集成自举二极管‌：节省板上空间，降低系统成本。
• ‌高电压处理能力‌：BST引脚绝对最大电压为V，SH引脚瞬态负电压处理能力为-9.5V。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：低侧和高侧电源轨均具备UVLO保护，提高系统稳定性。
• ‌高峰值电流‌：低侧和高侧驱动器的峰值源/沉电流分别为.A和0.8A。
• ‌快速响应‌：典型传播延迟为5ns。
• ‌紧凑封装‌：提供引脚SOIC和WSON封装选项，适应不同PCB布局需求。

三、应用领域

• 无刷直流（BLDC）电机
• 永磁同步电机（PMSM）
• 无线吸尘器
• 无线园林工具和电动工具
• 电动车和电动滑板车
• 电池测试设备
• 离线不间断电源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驱动器

四、功能描述

1. 输入阶段

• INH和INL输入引脚兼容TTL和CMOS逻辑电平，未使用的输入引脚必须接地。
• 无内置去抖动滤波器，传播延迟和延迟匹配性能优越。

2. 输出阶段

• 低侧和高侧输出（GL和GH）独立控制，支持轨到轨输出。
• 高侧驱动器采用浮动设计，通过BST和SH引脚供电。
• 输出具备高峰值电流能力，支持快速开关MOSFET。

3. 保护功能

• UVLO保护：监测GVDD和BST电压，确保在电压不足时关闭输出。
• SH引脚瞬态负电压保护：允许SH引脚电压瞬态低于地电位，提高系统鲁棒性。

4. 集成自举二极管

• 内置自举二极管简化了电路设计，减少了外部元件数量。
• 提高了电路的可靠性和稳定性。

五、典型应用

文档提供了LM5在半桥转换器中驱动MOSFET的典型应用电路图，并详细讨论了设计要求和布局指南。

六、电源推荐

• GVDD供电电压推荐范围为V至V，需考虑UVLO阈值和滞回特性。
• BST引脚电压应高于SH引脚电压，推荐最大值为V。
• 建议在GVDD和GND、BST和SH之间使用低ESR陶瓷旁路电容器，以支持高峰值电流并减少噪声。

七、布局指南

• 门驱动器应尽可能靠近MOSFET放置，以减小栅极驱动回路的寄生电感。
• 旁路电容器应尽可能靠近IC放置，以提供低阻抗路径。
• 输入和输出信号迹线应分开，以减少噪声耦合。
• 特别注意高侧驱动器的BST和SH引脚布局，确保可靠的电压供应和瞬态保护。