UCC21756-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21756-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
*附件:ucc21756-q1.pdf
输入侧采用 SiO2 电容隔离技术与输出侧隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度和超过 40 年的隔离栅寿命,并提供低器件间偏移和 >150V/ns 共模噪声抗扰度 (CMTI)。
UCC21756-Q1 包括最先进的保护功能,例如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO,以优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。隔离式模量转 PWM 传感器可用于更轻松地进行温度或电压传感,进一步提高驱动器的多功能性,并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
特性
- 5.7kVRMS 单通道隔离栅极驱动器
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全 质量管理
- 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 最小 CMTI 为 150V/ns
- 200ns 响应时间快速 DESAT 保护,5V 阈值
- 4A 内部有源米勒箝位
- 发生故障时 900mA 软关断
- 带 PWM 输出的隔离模拟传感器,用于
- 使用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度传感
- 高压直流母线或相电压
- 过流警报 FLT 并从 RST/EN 复位
- RST/EN 上的快速启用/禁用响应
- 抑制 <40ns 噪声瞬态和输入引脚脉冲
- 12V VDD UVLO,RDY 上电源良好
- 输入/输出具有高达 5V 的过冲或下冲瞬态电压抗扰度
- 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/部件偏移
- SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙距离> 8mm
- 工作结温 –40°C 至 150°C
参数

方框图

一、产品概述
UCC6-Q是一款专为SiC MOSFET和IGBT设计的增强型隔离单通道门驱动器,适用于电动汽车(EV)牵引逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等应用。该驱动器具备高级保护功能、卓越的动态性能和鲁棒性。
二、主要特性
- 隔离电压:高达.kV RMS,支持高达1V DC的SiC MOSFET和IGBT。
- 驱动能力:±0A的峰值源/沉电流。
- 保护功能:快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位、输入/输出侧电源欠压锁定(UVLO)。
- 隔离模拟传感:带PWM输出的隔离模拟传感器,用于温度或电压感测。
- 高共模瞬态抑制能力(CMTI) :最低0V/ns。
- 快速响应:0ns DESAT保护响应时间,带5V阈值。
- 封装与认证:SOIC- DW封装,AEC-Q0认证。
三、应用领域
- 电动汽车(EV)牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- HEV/EV的DC/DC转换器
四、功能描述
1. 隔离与驱动
- 使用SiO电容隔离技术,实现输入与输出侧之间的可靠隔离。
- 提供高达±A的峰值源/沉电流,可直接驱动SiC MOSFET和IGBT模块。
2. 保护功能
- DESAT保护:快速检测过流和短路情况,实现软关断,防止功率器件损坏。
- 有源米勒钳位:防止快速切换时的虚假导通。
- UVLO保护:对输入和输出侧电源进行监控,确保在电压异常时关闭输出。
- 故障报告:通过FLT引脚报告过流或短路故障,RST/EN引脚用于复位和使能控制。
3. 隔离模拟传感
- AIN引脚支持隔离的模拟信号输入,APWM引脚输出相应的PWM信号,用于温度或电压感测。
五、典型应用
文档提供了UCC6-Q在半桥电路中的典型应用电路,包括设计要求和详细设计步骤,如输入滤波、PWM互锁、FLT/RDY/RST/EN引脚电路、栅极电阻选择、过流和短路保护、隔离模拟信号感测等。
六、电源推荐
- 输入侧电源VCC推荐范围为V至5.5V。
- 输出侧电源VDD和VEE推荐范围为V至V,需考虑UVLO阈值和滞回电压。
- 建议在电源引脚附近放置低ESR/ESL的旁路电容,以稳定电源电压。
七、布局指南
- 驱动器应尽可能靠近被驱动的功率器件,以减小寄生电感。
- 电源旁路电容应尽可能靠近电源引脚放置。
- 输入信号应保持良好的信号完整性,避免长距离传输和干扰。
- 输出侧COM引脚应连接到功率器件的源极或发射极,以减小栅极驱动回路的寄生电感。